发明名称 METHOD FOR ETCHING POLYSILICON LAYER ON THE PLASMA ETCHING SYSTEM
摘要
申请公布号 KR20050070690(A) 申请公布日期 2005.07.07
申请号 KR20030100528 申请日期 2003.12.30
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JANG, JEONG YEL
分类号 H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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