Direkte Justierung in Maskalignern

摘要

Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Justieren zweier flächiger Substrate zueinander bereit, die jeweils mindestens eine Justiermarke zum gegenseitigen Ausrichten aufweisen, insbesondere zum Ausrichten einer Maske zu einem Wafer vor dem Belichten. Nach Justieren der beiden Substrate in einem ersten Justierschritt durch optisches Bestimmen der Position der Justiermarke des ersten Substrats, Speichern der Position des ersten Substrats und Verschieben des zweiten Substrats parallel zum ersten Substrat, so dass die Justiermarke des zweiten Substrats mit der gespeicherten Position der Justiermarke des ersten Substrats in Deckung ist, wird in einem zweiten Justierschritt die Justierung überprüft und gegebenenfalls eine Feinjustierung vorgenommen. In diesem zweiten Schritt werden die Justiermarken der beiden Substrate gleichzeitig beobachtet und durch eine Relativbewegung parallel zur Substratebene die beiden Substrate zueinander ausgerichtet.