Anwendung von dünnen kristallinen Si3N4-Strukturen in Flachgräbenisolationsstrukturen,申请号DE1996632768T-传众专利搜索

发明名称	Anwendung von dünnen kristallinen Si3N4-Strukturen in Flachgräbenisolationsstrukturen
摘要
申请公布号	DE69632768(T2)	申请公布日期	2005.07.07
申请号	DE1996632768T	申请日期	1996.09.04
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK;INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	HO, HERBERT;HAMMERL, ERWIN;DOBUZINSKY, DAVID M.;PALM, J. HERBERT;FUGARDI, STEPHEN;AJMERA, ATUL;MOSEMAN, JAMES E.;RAMAC, SAMUEL C.
分类号	H01L21/76;H01L21/3105;H01L21/318;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/763;H01L21/334	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
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