发明名称 Verfahren zum Galvanisieren und Kontaktvorsprungsanordnung
摘要 Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Galvanisieren, bei dem bspw. eine Kupferschicht (24) unter Verwendung eines Resists (26) strukturiert wird. Eine unter der Kupferschicht (24) liegende Barriereschicht (22) wird in Bereichen ohne Kupferschicht zum Heranführen des Galvanisierungsstroms verwendet. Mit dem Verfahren lassen sich Lötbumps hoher Qualität herstellen.
申请公布号 DE10355953(A1) 申请公布日期 2005.07.07
申请号 DE2003155953 申请日期 2003.11.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HELNEDER, JOHANN;TORWESTEN, HOLGER
分类号 H01L21/288;H01L21/60;H01L23/485 主分类号 H01L21/288
代理机构 代理人
主权项
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