发明名称 |
Verfahren zum Galvanisieren und Kontaktvorsprungsanordnung |
摘要 |
Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Galvanisieren, bei dem bspw. eine Kupferschicht (24) unter Verwendung eines Resists (26) strukturiert wird. Eine unter der Kupferschicht (24) liegende Barriereschicht (22) wird in Bereichen ohne Kupferschicht zum Heranführen des Galvanisierungsstroms verwendet. Mit dem Verfahren lassen sich Lötbumps hoher Qualität herstellen. |
申请公布号 |
DE10355953(A1) |
申请公布日期 |
2005.07.07 |
申请号 |
DE2003155953 |
申请日期 |
2003.11.29 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HELNEDER, JOHANN;TORWESTEN, HOLGER |
分类号 |
H01L21/288;H01L21/60;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L21/288 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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