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Verfahren zur Ansteuerung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gate-Elektrode (IGBT) mittels eines Gate-Treibers (3), um bei unveränderten Schaltzeiten eine Reduzierung der Totzeiten bzw. Verbesserung der Regelgüte bei möglichst geringen Schaltverlusten zu erreichen, wobei zur Abschaltregelung, insbesondere zur Entladung der Gate-Kapazität, die Kollektor-Emitter-Spannung von einer Überwachungseinrichtung (2) überwacht wird, wobei nach Maßgabe einer Überwachungsvorschrift der Abschaltvorgang über eine erste und/oder eine zweite Abschaltvorrichtung (1) bewirkt wird und beide Abschaltvorrichtungen (1) unterschiedliche Entladecharakteristika aufweisen. DOLLAR A Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist als Bestandteil der Abschaltregelung eine in die Gate-Ansteuerung eingebundene Entladeschaltung (1) auf, welche mittels eines ersten Zweiges eine niederohmige Entladung der Gate-Kapazität bewirkt und mittels eines zweiten Zweiges eine Entladung mittels eines Steuerstromes bewirkt, wobei die Zweige nach Maßgabe des Kollektor-Emitter-Spannungs-Verlaufes aktivierbar bzw. deaktivierbar sind.
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