Ultradünne Halbleiterschaltung mit Kontakt-Bumps sowie zugehöriges Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung betrifft eine ultradünne Halbleiterschaltung mit Kontakt-Bumps (B) sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei an der Oberfläche einer Halbleiterschaltung (1) eine Bump-Stützschicht (3) mit einer Stützschichtdicke (H¶P¶) und mit einer Stützschichtöffnung zum Freilegen eines Kontaktschichtelements (2) ausgebildet wird. An der Oberfläche des Kontaktschichtelements (2) befindet sich innerhalb der Öffnung der Bump-Stützschicht (3) eine Elektrodenschicht (4), auf der eine Bump-Metallisierung (6A, 6B) zur Realisierung des Kontakt-Bumps (B) ausgebildet ist. Auf Grund der Bump-Stützschicht (3) kann eine Dicke (H¶S¶) der Halbleiterschaltung (1) weit unter 300 Mikrometer gedünnt werden, wobei Scheibenbruch zuverlässig verhindert wird. Ferner sind dadurch die Feuchtsperr-Eigenschaften der Halbleiterschaltung verbessert.