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发明名称 FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A TRENCH ISOLATION LAYER
摘要
申请公布号 KR20050068064(A) 申请公布日期 2005.07.05
申请号 KR20030099118 申请日期 2003.12.29
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 EUN, DONG SEOG;HUR, SUNG HOI
分类号 H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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