WERKWIJZE VOOR HET REDUCEREN VAN DE CONTACTWEERSTAND VAN DE AANSLUITGEBIEDEN VAN EEN HALFGELEIDERINRICHTING.

摘要

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderstructuur met minstens één aansluitgebied vormend siliciumgebied in en/of op een oppervlak van een substraat. De methode bestaat uit het vormen van een metaalclusterlaag van een eerste , niet-siliciderend metaal, gevolgd door het afzetten van een metaallaag bestaande uit een tweede, siliciderend metaal. Een daaropvolgende warmtebehandeling zorgt voor de vorming van een metaalsilicide van het tweede metaal, waarbij de atomen van het eerste metaal verplaatst worden in een richting nagenoeg loodrecht op het oppervlak van het substraat. Volgens de uitvinding worden de atomen het eerste metaal verplaatst door het Kirkendall effect tot onder het metaalsilicide. Bij vervaardiging van bijvoorbeeld een MOST zijn daaraan zowel ter plaatse van het aanvoer- en afvoergebied als ter plaatse van de poortelektrode voordelen verbonden.