半导体装置中之接触插塞以及形成其之方法

摘要

本发明揭示一种在一半导体装置中的接触插塞及其形成方法。在向上形成一接触插塞直到一金属线底部之一接合区后，该升高的接合区及该金属线系以一接触插塞来连接。或在直到该金属线底部之该接合区上形成相同面积的第一接触插塞后，该第一接触插塞系以一第二接触插塞来连接。因此，除了某些部分之外，可以将接触插塞的宽度增加到最大。因而可以防止电场集中及阻止开启电流降低，以提高装置的电特性。