于半导体装置内形成金属线之方法

摘要

本发明揭示出一种在半导体装置内形成金属线的方法。使用A1或A1合金当作材料以致密的形成复数个金属线，并使用低k值介电质层当作硬质光罩层以进行反应性离子布植。阻障金属层在金属线的侧壁上形成。在低介电质光罩图案存在时，低介电质层间绝缘薄膜会被形成。因而能得到线处理中的边限以及层间绝缘薄膜的临界值增益，用以绝缘开金属线。因此，可以藉限制金属线之间的串讯以及降低金属线之间的电容值而缩短RC延迟时间。