纵型闸半导体装置及其制造方法

摘要

本发明实现一种不增加源极区域之接触电阻，而可谋求小型化之纵型闸半导体装置。起作用作为电晶体之第一区域11具有：汲极区域111；本体区域112，其系形成于汲极区域111之上侧；源极区域113A，其系形成于本体区域112之上侧；及沟槽，其系形成于源极区域113A及本体区域112，且埋入有闸极120。本体区域112延伸于第二区域12，并且在第二区域12之本体区域112上侧形成有与源极区域113A电性连接之源极区域113B。