| 摘要 |
本发明揭示一种制造快闪记忆体装置之方法，包括下列步骤：在一半导体基板上相继形成一用于浮动闸电极之第一多晶矽膜、一用于硬光罩之多晶矽膜以及一第二氧化物膜；在该第二氧化物膜之一预先决定区域上形成光阻图案，藉此蚀刻并且图案化该第二氧化物膜及该用于硬光罩之多晶矽膜，并且去除该等光阻图案；藉由在成形结构之整个表面上形成并且蚀刻一用于形成间隔物的多晶矽膜，在该用于硬光罩之多晶矽膜的多个侧壁上形成多个间隔物；去除该被曝晒之第一氧化物膜及形成于该已图案化之用于硬光罩之多晶矽膜上之一预先决定厚度之第二氧化物膜；使用该已图案化之用于硬光罩之多晶矽膜及该等间隔物当做一蚀刻光罩，用以执行第一蚀刻制程及第二蚀刻制程，藉此形成多个浮动闸电极图案；执行一清洁制程来清洁成形结构的整个表面，并且同时去除残余之第二氧化物膜；以及在已有该等浮动闸电极图案形成于其上的成形结构上，相继形成并且图案化一氧化物／氮化物／氧化物(ONO)膜、一用于控制闸电极之第二多晶矽膜、一金属矽化物膜以及一硬光罩，藉此形成控制闸电极图案。 |
