发明名称 绝缘体的形成方法、在半导体装置上形成绝缘体的方法与半导体装置的导线的隔离方法
摘要 一种在半导体装置构件间形成绝缘体的方法如下:沉积绝缘材料如高密度电浆(HDP)氧化物于半导体装置上的复数个构件上与之间,此绝缘材料介于构件间的高度较佳小于构件的高度,再利用键击制程或其它移除制程降低构件的绝缘材料的高度且降低构件间之绝缘材料的高度,此绝缘材料由构件的上表面移除,且利用化学机械研磨(CMP)制程以降低构件的上表面,且停止在构件间的绝缘材料上。
申请公布号 TW200522201 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW093113445 申请日期 2004.05.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 彭双能;王生城
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号