乾式蚀刻方法及磁性记忆装置之制造方法

摘要

本发明之目的在于提供一种制程，其可良好地蚀刻用于MRAM之栓层，特别是PtMn。本发明系关于一种乾式蚀刻方法以及将该乾式蚀刻方法适用于栓层加工之MRAM的制造方法，上述乾式蚀刻方法以使用脉冲电浆乾式蚀刻含有铂以及／或锰之层为特征。该MRAM含有记忆部，该记忆部包含藉由叠层磁化方向固定之磁化固定层、通道障壁层、以及可变化磁化方向之磁性层而成的通道磁阻效果元件构成之磁性记忆元件。