绝缘层上有矽结构中的浅沟绝缘衬里

摘要

在一个半导体元件的制造方法中，提供一个起始构。此一起始结构包括一基材、一图案化的矽层以及一覆盖层。上述基材具有一包埋绝缘层形成于其上。在包埋绝缘层上形成一图案化的矽层。在图案化的矽层上形成一覆盖层。在起始结构之上形成一个第一层。利用蚀刻制程移除部分的第一层，使图案化的矽层侧壁部分暴露出来，并于图案化矽层与包埋绝缘层交界的转角处遗留下一部分的第一层剩余部分。在上述暴露出来的侧壁部分形成氧化矽衬层。一凹室可能形成于包埋绝缘层中(在形成第一层之前)，凹室的一部分可能延伸到图案化的矽层下方。