热处理方法及热处理装置

摘要

本发明有关形成对凹部之掩埋性良好且高密度，作为绝缘膜具有良好之电气特性或介电率之聚矽氨烷膜。对于形成有聚矽氨烷之涂布膜之晶圆W，于水蒸气气体环境、减压气体环境下，以200℃之温度进行热处理(预备处理)去除含于涂布膜之溶剂成分。继而于水蒸气气体环境、减压气体环境下，以390℃以上410℃以下之温度对晶圆进行第1热处理，形成聚矽氨烷膜之骨架。继而于水蒸气气体环境、减压气体环境下，以600℃以上800℃以下之温度对晶圆进行第2热处理，去除源自聚矽氨烷膜所含OH基之成分。以此方式形成之聚矽氨烷膜对凹部之掩埋性良好且高密度，并且介电率较低、电气特性良好，例如作为半导体装置之绝缘膜具有良好之特性。