形成半导体装置中的氧化物层之方法

摘要

本发明提供一种形成一半导体装置之氧化物层之方法。在该方法中，在分隔成第一与第二区域之半导体基板上，以第一厚度形成一第一氧化物层，且接着在移除第一区域上之第一氧化物层之后，在该第一区域上以第二厚度形成一第二氧化物层，同时防止损坏半导体基板之表面。藉由该方法，不同厚度之氧化物层可在半导体基板上形成于分离的区域中，且不会发生由于蚀刻处理而导致之损坏，同时增强氧化物层之物理品质。