反应式溅镀之量子井制造方法

摘要

本发明系为一种反应式溅渡之量子井制造方法，该方法系包括沉积一金属氮氧化物薄膜层于一基板上；沉积一金属氧化物薄膜层于该金属氮氧化物薄膜层上；形成一薄膜介面于该金属氧化物薄膜层及该金属氮氧化物薄膜层接触面上；及自动进行氮氧原子的置换且产生氮氧组成比例交变之二维介面。本发明之量子井位能与空间的相关特征为一渐近变化曲线，此量子井内电子能阶间的能量差为近似常数，该量子井系可应用于共振穿隧电晶体，并且所制造的共振穿隧电晶体具有环保、制程简易、低制造成本等多项优点。