发明名称 高纯度铪、高纯度铪所构成之靶及薄膜、高纯度铪之制造方法
摘要 提供一种高纯度铪、及由该高纯度铪所构成之靶及薄膜,其特征为:不计锆与气体成分之纯度为4N以上、且氧含量40wtppm以下;并提供一种高纯度铪、及由该高纯度铪所构成之靶及薄膜;其特征为:不计锆与气体成分之纯度为4N以上、且硫含量与磷含量各10wtppm以下。又提供一种高纯度铪材料、由该材料所构成之靶及薄膜、及高纯度铪之制造方法,系将锆含量减少之海绵铪当作原料,再将铪中所含氧、硫、磷之含量减少。又提供一种有效且安定之制造技术以及依此技术所制得之高纯度铪材料及由该材料所构成之靶及薄膜。
申请公布号 TW200521255 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW093132709 申请日期 2004.10.28
申请人 日材料股份有限公司 发明人 新藤裕一朗
分类号 C23C14/00 主分类号 C23C14/00
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本
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