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发明名称
以金奈米粒子辅助成长半导体量子点的制作方法
摘要
本发明提供一种以金奈米粒子辅助成长半导体量子点的制作方法。上述方法包括提供一基底并形成一氧化层于该基底上。接着,形成一金属奈米粒子于该氧化层上。然后,以金属奈米粒子为催化剂,进行高密度电浆化学气相沉积步骤,于该氧化层上制作半导体量子点。
申请公布号
TW200521262
申请公布日期
2005.07.01
申请号
TW092136823
申请日期
2003.12.25
申请人
财团法人国家实验研究院
发明人
谢健;柯宗宪;陈学礼;谢嘉民;戴宝通;朱铁吉
分类号
C23C16/513
主分类号
C23C16/513
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
台北市大安区和平东路2段106号3楼
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