发明名称 一种溅镀靶材的制造方法
摘要 本发明系提出一种溅镀靶材的制造方法,此方法系经由真空感应熔炼(Vacuum Induction Melting,简称VIM)制程及真空电弧精炼(Vacuum Arc Remelting,简称VAR)制程,产生合金钴铬(CoCr)或是添加选自镍、钽、铂、硼、矽、锌、钛、钐、铌、磷、铑、钯、钪、锆、铁、铪、铼等一种以上不同金属所形成之合金,不须后续之锻造加工,直接将VAR铸造成型后之铸锭切削成溅镀用靶材,此制造方法在目前靶材市场未有相同的概念被提出。此制程适用于光电产业及半导体产业用高品质靶材之生产,其量产性高、成品率高、能有效降低生产成本,且靶材品质优良均一。
申请公布号 TW200521258 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW092136504 申请日期 2003.12.23
申请人 国防部中山科学研究院 发明人 陈家骅;黄信二;王心宥;彭及富;李训杰;叶建宏
分类号 C23C14/40 主分类号 C23C14/40
代理机构 代理人
主权项
地址 桃园县龙潭乡中正路佳安段481号