| 发明名称 | 增加匹配度的电容对结构 | ||
| 摘要 | 一种具有增加匹配度(matching)的电容对(capacitor pair)结构，其藉由两交互平行穿插(interlace)的指状电极(fingerelectrode)结构以及一位于此两指状电极结构间的共同电极而形成一适当比例的电容对结构，并更可透过介层窗(via)连接不同金属层上相同的电容对结构以增加此电容对结构的整体电容值。 | ||
| 申请公布号 | TW200522106 | 申请公布日期 | 2005.07.01 |
| 申请号 | TW092137848 | 申请日期 | 2003.12.31 |
| 申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 刘智民 |
| 分类号 | H01G4/38 | 主分类号 | H01G4/38 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈达仁;谢德铭 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 台北县新店市中正路533号8楼 | ||