监测离子植入机台之方法

摘要

本案系为一种监测离子植入机台之方法，该方法系包含下列步骤：提供一晶圆；形成一阻挡层于该晶圆表面，该阻挡层对离子植入有实质上阻挡的效果；对该晶圆进行一离子植入制程；施行一热处理程序；移除该阻挡层；以及量测该晶圆之物质特性。