具粗化平面之发光二极体

摘要

一种具粗化平面之发光二极体，系包括：基板、设置于该基板上之至少一发光二极体晶粒、以及包覆该发光二极体晶粒并于其上方呈平面状模注成型之封装体；其中，该封装体系具有经预定步骤处理之模具成型之粗化外表面，该粗化外表面具有一预定之表面粗糙度，该发光二极体晶粒发射之光线系经由该粗化外表面漫射出光。

主权项

1.一种具粗化平面之发光二极体,系包括:基板;至少一发光二极体晶粒,系设置于该基板之上;以及封装体,系包覆该发光二极体晶粒并于其上方呈平面状模注成型;其中,该封装体系具有经预定步骤处理之模具成型之粗化外表面,该粗化外表面具有一预定之表面粗糙度,该发光二极体晶粒发射之光线系经由该粗化外表面漫射出光。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该模具系可经由下列预定步骤处理:喷砂(blasting)、放电加工(electrical discharge machining, EDM)、电浆加工(plasma machining)、或化学蚀刻(chemical etching)方式。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该发光二极体系包括红光二极体、绿光二极体、以及蓝光二极体。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该表面粗糙度系可约3微米。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该粗化外表面系成形于该封装体之上表面。图式简单说明:第一图所示,系为习知发光二极体之侧视图;以及第二图所示,系为发光二极体之侧视图。