| 主权项 |
1.一种磁阻位准产生器,其特征为包括:多个非挥发性磁阻元件,各具有Rmax状态与Rmin状态,且各被设置于Rmax与Rmin状态之一,且多个非挥发性磁阻元件被连接在一起以提供在Rmax与Rmin之间之预先设定电阻位准之总电阻。2.一种磁阻位准产生器,其特征为包括:输入端子与输出端子;第一串联电路,包括第一磁阻元件(其电阻为Rmax)与n个第一磁阻元件(各有电阻Rmin)串联,该第一串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联;以及n个另外的串联电路,各包括另外的磁阻元件(其电阻为Rmax)而与n个磁阻元件(各具有电阻Rmin)串联,该等n个另外的串联电路是在输入端子与输出端子之间串联,且与第一串联电路并联,而n为大于1之整数,而在输入端子与输出端子之间之总电阻为位准Rmin+R/n,而R等于Rmax-Rmin。3.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,其中在第一与n个另外串联电路之每一个中之第一与n个另外的磁阻元件,各包括一非挥发性磁阻元件。4.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,其中每一个磁阻元件具有Rmax与Rmin状态,而Rmin是对应于平行磁化状态之最小电阻値,且Rmax为对应于反平行磁化状态之最大电阻値。5.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,其中包括n+1个垂直轴线,其各与第一与n个另外串联电路磁性结合以接收程序化电流而程序化:在第一串联电路中之第一磁阻元件(电阻为Rmax);以及在n个另外串联电路之每一个中之另外的磁阻元件(电阻为Rmax)。6.如申请专利范围第5项之磁阻位准产生器,更包括一硬轴线、其各与以下磁性结合:第一串联电路中之第一磁阻元件(电阻为Rmax),以及n个另外串联电路中之n个另外的磁阻元件(电阻为Rmax),以接收程序化电流。7.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,其中在第一与n个另外串联电路之每一个中之磁阻元件,各包括一磁性隧道接面(MTJ)磁阻元件。8.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,其中在第一与n个另外串联电路之每一个中之磁阻元件,各包括与磁阻元件并联之切换电晶体。9.如申请专利范围第2项之磁阻位准产生器,包括:在第一串联电路中与磁阻元件串联之第一选择电晶体;以及在n个另外串联电路中各与磁阻元件串联之n个另外的选择电晶体。10.一种磁阻多位准产生器,其特征为包括:输入端子与输出端子;第一串联电路,包括:第一选择电晶体,第一磁阻元件(其电阻为Rmax),以及n个磁阻元件(其电阻各为Rmin),该第一串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联;n个另外的串联电路,其包括:选择电晶体,另外的磁阻元件(其电阻为Rmax),以及n个磁阻元件(其电阻各为Rmin),此n个另外的串联电路各在输入端子与输出端子之间连接成串联,且每一个另外的串联电路与第一串联电路并联,而n为大于1之整数;在该第一与n个另外串联电路中之磁阻元件包括并联之控制电晶体;以及电路,用于将选择与控制电晶体操作成导电与非导电状态之一,而在输入端子与输出端子之间之总电阻为位准Rmin+R/n,而R等于Rmax-Rmin。11.一种磁阻多位准产生器,其特征为包括:输入端子与输出端子;第一串联电路,包括:第一选择电晶体,第一磁阻元件(其电阻为Rmax),以及三个磁阻元件(其电阻各为Rmin),此第一串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联;第二串联电路,包括:第二选择电晶体,第二磁阻元件(其电阻为Rmax),三个电阻元件(其电阻各为Rmin),此第二串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联且与第一串联电路并联;第三串联电路,包括:第三选择电晶体,第三磁阻元件(其电阻为Rmax),三个磁阻元件(其电阻各为Rmin),该第三串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联且与第一串联电路并联;第四串联电路,包括:第四选择电晶体,第四磁阻元件(其电阻为Rmax),三个磁阻元件(其电阻各为Rmin),该第四串联电路在输入端子与输出端子之间连接成串联且与第一串联电路并联;该在第一,第二,第三与第四串联电路中之各磁阻元件包括并联之控制电晶体;以及电路,用于将选择与控制电晶体操作成导电与非导电状态之一,而在输入端子与输出端子之间之总电阻为位准Rmin+R/n,而R=Rmax-Rmin且n=2,3与4之一。图式简单说明:图1为各种电阻关系之图式说明;图2为产生器的磁阻之串联/并联之组合;图3为根据本发明一磁阻单一位准产生器的实施例之示意图;以及图4为根据本发明一多位准产生器的实施例之示意图。 |
