| 主权项 |
1.一种多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,系于该陶瓷本体烧结前,以高绝缘性材料涂布于尚未烧结的多层陶瓷生胚整体表面上,然后再进行烧结制程,烧结后之半导体性陶瓷本体表面即形成一绝缘层;端电极涂附及烧附制程完成后,再以热处理法使该元件之内电极端部向外伸展,以确保该内电极与端电极形成良好的电性导通。2.如申请专利范围第1项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该热处理法使该元件之内电极端部向外伸展的实施程序可和端电极之烧附制程合并实施而得到相同的效果。3.如申请专利范围第1项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,其特征在于:于制作表面绝缘层及端电极之后,施以250℃以上之热处理,内电极中之金属银受到端电极中之银成份的牵引而向外伸出于陶瓷本体外。4.如申请专利范围第1或3项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,亦适用于其他以半导体性或低绝缘性材料作为本体之晶片型电子元件。5.一种多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,系于该陶瓷本体烧结后、端电极制作前,以高绝缘性材料涂布于陶瓷本体表面上,然后再进行热处理制程,半导体性陶瓷本体表面即形成一绝缘层;端电极涂附及烧附制程完成后,再以热处理法使该元件之内电极端部向外伸展,以确保该内电极与端电极形成良好的电性导通。6.如申请专利范围第5项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该热处理法使该元件之内电极端部向外伸展的实施程序可和表面绝缘层热处理及端电极之烧附制程同时合并实施而得到相同的效果。7.如申请专利范围第5项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,其特征在于:于制作表面绝缘层及端电极之后,施以250℃以上之热处理,内电极中之金属银受到端电极中之银成份的牵引而向外伸出于陶瓷本体外。8.如申请专利范围第5或7项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,亦适用于其他以半导体性或低绝缘性材料作为本体之晶片型电子元件。9.一种多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,系于该陶瓷本体烧结后、端电极制作前,将该元件浸泡于酸或硷液中,使得陶瓷本体表面受浸蚀内缩,内电极金属因较耐浸蚀,而形成内电极端部凸出于陶瓷本体外;然后再以高绝缘性材料涂布于陶瓷本体表面上,接着再进行热处理制程,半导体性陶瓷本体表面即形成一绝缘层;最后再制作端电极,即可确保该内电极与端电极形成良好的电性导通。10.如申请专利范围第9项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中表面绝缘层热处理制程可和端电极之烧附制程合并实施而得到相同的效果。11.如申请专利范围第9项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,其特征在于:陶瓷本体烧结后、表面绝缘层制作前,该元件浸泡于酸或硷液中,使得陶瓷本体表面受浸蚀内缩,内电极金属凸出于陶瓷本体外。12.如申请专利范围第9或11项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中使该内电极端部向外伸展的方法,亦适用于其他以半导体性或低绝缘性材料作为本体之晶片型电子元件。13.一种多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,系于该陶瓷本体烧结及端电极制作后、电镀前,以高绝缘性材料涂布于陶瓷本体表面上,再进行热处理制程,半导体性陶瓷本体表面即形成一绝缘层,涂布于端电极表面之涂料于热处理过程中溶入或混入端电极金属中,端电极表面仍保持良好的导电特性。14.如申请专利范围第13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中表面绝缘层热处理制程可和端电极之烧附制程合并实施而得到相同的效果。15.如申请专利范围第1、5、9或13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该高绝缘性材料可为玻璃。16.如申请专利范围第1、5、9或13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该高绝缘性材料可为有机化合物。17.如申请专利范围第1、5、9或13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该高绝缘性材料可为金属氧化物。18.如申请专利范围第1、5、9或13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,其中该高绝缘性材料可为金属盐类。19.如申请专利范围第1、5、9或13项所述之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之表面绝缘方法,亦适用于其他以半导体性或低绝缘性材料作为本体之晶片型电子元件之表面绝缘。图式简单说明:第1A图为习知多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件之平面示意图;第1B图为第1A图所示之习知多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件纵方向之剖面结构图;第1C图为第1A图所示之习知多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件横方向之剖面结构图;第2A图为本发明之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件第一实施例,陶瓷本体烧结之前,表面涂布一层玻璃涂料层之剖面结构示意图;第2B图为继第2A图制程,进行烧结后,于其表面形成一绝缘层之剖面结构示意图;第2C图为继第2B图制程,该元件端部涂附端电极及烧附后之剖面结构示意图;第2D图为继第2C图制程,该元件经热处理后之剖面结构示意图;第3A图为本发明之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件第二实施例,陶瓷本体烧结后、端电极制作前之剖面结构示意图;第3B图为继第3A图制程,于其表面涂布一层氧化物混合涂料层,再经热处理制程,于其表面形成一绝缘层之剖面结构示意图;第3C图为继第3B图制程,该元件端部涂附端电极及烧附后之剖面结构示意图;第3D图为继第3C图制程,该元件经热处理后之剖面结构示意图;第4A图为本发明之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件第三实施例,陶瓷本体烧结后、端电极制作之前之剖面结构示意图;第4B图为继第4A图制程,该元件浸泡于0.5%HCl水溶液中1分钟后,内电极端部向外凸出之剖面结构示意图;第4C图为继第4B图制程,该元件表面涂布一层玻璃涂料层,再经热处理制程,于其表面形成一绝缘层之剖面结构示意图;第4D图为继第4C图制程,该元件端部涂附端电极及烧附后之剖面结构示意图;第5A图为本发明之多层式晶片型陶瓷过电压抑制器元件第四实施例,陶瓷本体烧结后并完成端电极制作后之剖面结构示意图;第5B图为继第5A图制程,于其表面涂布一层玻璃涂料层之剖面结构示意图;第5C图为继第5B图制程,再经热处理程序,于其表面形成一绝缘层之剖面结构示意图。 |
