| 主权项 |
1.一种氢氰化方法,其包括:使非环状、脂族、单乙烯系不饱和化合物,其中乙烯性双键并未共轭至分子中之任何其他烯烃基,与HCN之来源,于触媒组合物存在下反应,该触媒组合物包含路易士酸、零价镍及至少一种选自藉由下列式I、II或III表示之多齿亚磷酸盐配位子,其中所有类似参考文字具有相同意义,除非当进一步明确地限制时:其中R1系独立为C1至C18一级或二级烷基;R2系独立为芳基或经取代之芳基;R3系独立为芳基或经取代之芳基;R4系独立为C1至C18一级烷基;R5为氢;R6系独立为芳基或经取代之芳基;R7系独立为C1至C18一级或二级烷基;R8系独立为C1至C18一级或二级烷基;R9系独立为C1至C18一级或二级烷基;其中于式III中,R6为经取代之芳基;且其中在芳族环上之其他位置,亦可被烷基、醚或酯基或其两种或多种之组合取代。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中起始之乙烯系不饱和化合物系选自包括3-戊烯、4-戊烯,2-、3-及4-戊烯酸烷酯,及CzF2z+1CH=CH2,其中z为1至12之整数。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中起始之乙烯系不饱和化合物为3-戊烯或4-戊烯。4.根据申请专利范围第1项之方法,其系在-25℃至200℃之温度下,及在50.6至1013kPa之压力下进行。5.根据申请专利范围第4项之方法,其系在大气压力下,及在0℃至150℃之温度下进行。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中路易士酸系选自包括无机或有机金属化合物,其中阳离子系选自钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、铜、锌、硼、铝、钇、锆、铌、钼、镉、铼及锡。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中路易士酸系选自包括ZnBr2,ZnI2,ZnCl2,ZnSO4,CuCl2,CuCl,Cu(O3SCF3)2,CoCl2,CoI2,FeI2,FeCl3,FeCl2(四氢喃)2,TiCl4(四氢喃)2,TiCl4,TiCl3,ClTi(OiPr)3,MnCl2,ScCl3,AlCl3,(C8H17)AlCl2,(C8H17)2AlCl,(异-C4H9)2AlCl,(苯基)2AlCl,苯基AlCl2,ReCl5,ZrCl4,NbCl5,VCl3,CrCl2,MoCl5,YCl3,CdCl2,LaCl3,Er(O3SCF3)3,Yb(O2CCF3)3,SmCl3,TaCl5,CdCl2,B(C6H5)3及(C6H5)3SnX,其中X=CF3SO3,CH3C6H5SO3或(C6H5)3BCN。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中配位子具有式II结构,R2为经取代之芳基,及R4为环烷基。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中配位子具有式I结构,且R3为未经取代之苯基。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中R1、R7及R9为甲基。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中R1、R8及R9为甲基。12.根据申请专利范围第1项之方法,其具有至少97%之分布。13.一种式I、II或III之多齿亚磷酸盐配位子,其中R1系独立为C1至C18一级或二级烷基;R2系独立为芳基或经取代之芳基;R3系独立为芳基或经取代之芳基;R4系独立为C1至C18一级烷基;R5为氢;R6系独立为芳基或经取代之芳基;R7系独立为C1至C18一级或二级烷基;R8系独立为C1至C18一级或二级烷基;R9系独立为C1至C18一级或二级烷基;其中于式III中,R6为经取代之芳基;且其中在芳族环上之其他位置,亦可被烷基、醚或酯基或其两种或多种之组合取代。14.根据申请专利范围第13项之配位子,其中配位子具有式II结构,且R2为经取代之芳基。15.根据申请专利范围第14项之配位子,其中R4为环烷基。16.根据申请专利范围第13项之配位子,其具有式I结构,其中R3为未经取代之苯基。17.根据申请专利范围第16项之配位子,其中R1、R7及R9为甲基。18.根据申请专利范围第16项之配位子,其中R1、R8及R9为甲基。 |
