| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系包含以下制程:剥离层形成制程,系于第1基板上形成剥离层;绝缘膜形成制程,系于上述剥离层上形成绝缘膜;微细孔形成制程,系于上述绝缘膜形成多数个微细孔;薄膜形成制程,系于上述绝缘膜上以及上述微细孔内形成半导体薄膜;结晶制程,系对上述半导体薄膜施予热处理使其熔融结晶而形成结晶半导体薄膜,该结晶半导体薄膜系包含以上述各个微细孔为大略中心之大略单晶之结晶粒而构成者;元件形成制程,系使用上述各个结晶半导体薄膜形成半导体元件;及转印制程,系于上述剥离层之层内及/或接面产生剥离,而将上述半导体元件由上述第1基板予以分离,将上述半导体元件转印至第2基板。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述转印制程系包含以下制程:接合制程,系将上述第1基板上之上述半导体元件接合于上述第2基板;剥离制程,系对上述剥离层赋与能量而于该剥离层之层内及/或接面产生剥离;及分离制程,系将上述第1基板由上述第2基板予以分离。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述转印制程系包含以下制程:第1接合制程,系将上述第1基板上之上述半导体元件接合于转印用基板;第1剥离制程,系于上述剥离层之层内及/或接面产生剥离;第1分离制程,系将上述第1基板由上述转印用基板予以分离;第2接合制程,系将上述转印用基板上之上述半导体元件接合于上述第2基板;及第2分离制程,系将上述转印用基板由上述第2基板予以分离。4.如申请专利范围第2或3项之半导体装置之制造方法,其中对上述剥离层赋与能量系藉由雷射照射予以进行。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述第1基板具有:至少能处理半导体晶圆之半导体制程可以使用之尺寸、形状、及耐热性之其中至少一种。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中上述半导体制程为LSI制程。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中上述第1基板形成为晶圆尺寸。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述第1基板之表面粗糙度设为10m以上30m以下。9.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述元件形成制程,系使用1个上述结晶半导体薄膜形成多数个上述半导体元件。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中多数个上述半导体元件系构成单位电路。11.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述转印制程,系由上述第1基板上形成之多数个上述半导体元件之中,仅选择性将设为转印对象之上述半导体元件由上述第1基板转印至上述第2基板。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中上述转印制程,系对应多数个上述结晶半导体薄膜之各个而选择设为转印对象之上述半导体元件。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中另包含分割制程,用于依据上述结晶半导体薄膜之每一个来分割上述第1基板上形成之上述半导体元件及上述剥离层。14.一种光电装置,系具有:申请专利范围第1至13项中任一项之半导体装置之制造方法所制造之半导体装置者。15.一种积体电路,系具有:申请专利范围第1至13项中任一项之半导体装置之制造方法所制造之半导体装置者。16.一种电路基板,系具有:申请专利范围第1至13项中任一项之半导体装置之制造方法所制造之半导体装置者。17.一种电子机器,系具有:申请专利范围第1至13项中任一项之半导体装置之制造方法所制造之半导体装置者。图式简单说明:图1:第1实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图2:第1实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图3:第1实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图4:第1实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图5:结晶半导体薄膜由上面侧看到之平面图。图6:第1实施形态之变形例之制造方法说明图。图7:第2实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图8:第2实施形态之半导体装置之制造方法说明图。图9:第2实施形态之变形例之制造方法说明图。图10:第3实施形态之光电装置之构成说明图。图11:光电装置适用之电子机器之例。 |
