| 主权项 |
1.一种用以分析晶圆制程中之一积体电路之缺陷的方法,包括:检测一晶圆,并自动地辨认出复数个缺陷;将该些缺陷分类成复数个群组,该些群组具有一第一群组及一第二群组,该第一群组只包含报告大小至少与一第一预设大小一样小之缺陷,该第二群组只包含报告大小至少与该第一预设大小一样大之缺陷;以及分别从该第一群组及该第二群组选取数目比为Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二群组只包含报告大小至少与一大于该第一预设大小之第二预设大小一样小之缺陷,该些群组更包括一第三群组,该第三群组只包含报告大小至少与该第二预设大小一样大之缺陷,其中该方法系于该分别从该第一群组及该第二群组选取数目比为Ny:Nx之缺陷之步骤更包括:分别从该第三群组、该第二群组及该第一群组中选取数目比为Nz:Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値,Nz/Ny之値系大于该第三群组之缺陷数和该第二群组之缺陷数的比値。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二群组只包含报告大小至少与一大于该第一预设大小之第二预设大小一样小之缺陷,该些群组更包括一第三群组,该第三群组只包含报告大小至少与该第二预设大小一样大之缺陷,其中该方法系于该分别从该第一群组及该第二群组选取数目比为Ny:Nx之缺陷之步骤更包括:分别从该第三群组、该第二群组及该第一群组中选取数目比为Nz:Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値,Nz/Nx之値系大于该第三群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二群组只包含报告大小大于该第一预设大小之缺陷。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一群组只包含报告大小小于该第一预设大小之缺陷。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系于该将该些缺陷分类成复数个群组之步骤中更包括:将该些在该检测步骤中被辨认出之缺陷预先分类成n+1个递增大小范围S0,...,Sm,...Sn,n>1,0≦m<n;以及将大小落在大小范围S0,...,Sm内之缺陷分类到该第一群组,并将大小落在大小范围Sm+1,...,Sn内之缺陷分类到该第二群组。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,在上述式子中,t为整数,且0≦t≦n,为非负整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中t=1。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中t=m+1。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中Nx=X/(X+Y),Ny=Y/(X+Y),在上述式子中,t为整数,且0≦t≦n,为整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,在上述式子中,为非负整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中=1。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中Ny大于Nx。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法更包括:重复该检测步骤、该分类步骤及该选取步骤于一批(a lot)之复数个晶圆之每一晶圆上。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该对于该些晶圆之全部晶圆之检测步骤系比该对于该些晶圆之任一晶圆之分类步骤还早被执行。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法更包括:重新检视该些被该选取步骤所选出之缺陷。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法系于该重新检视步骤中更包括:以选自于一电子扫描显微镜及一光学显微镜所组成之群组之任一观看每一特定缺陷。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法系于该重新检视步骤中更包括:以人工方式分析每一特定缺陷。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法系于该重新检视步骤中更包括:以一自动缺陷重新检视系统分析每一特定缺陷。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该方法系于该重新检视步骤中更包括:因该重新检视步骤而废弃该晶圆之至少一晶片。21.一种用以分析晶圆制程中之一积体电路之缺陷的设备,包括:一检测系统,具有一用以检测一晶圆且自动地辨认出该晶圆之复数个缺陷的装置;一分类装置,用以将该些缺陷分类成复数个群组,该些群组具有一第一群组及一第二群组,该第一群组只包含报告大小至少与一第一预设大小一样小之缺陷,该第二群组只包含报告大小至少与该第一预设大小一样大之缺陷;以及一选取系统,用以分别从该第一群组及该第二群组选取数目比为Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値。22.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该第二群组只包含报告大小至少与一大于该第一预设大小之第二预设大小一样小之缺陷,该些群组更包括一第三群组,该第三群组只包含报告大小至少与该第二预设大小一样大之缺陷,该选取系统用以分别从该第三群组、该第二群组及该第一群组中选取数目比为Nz:Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値,Nz/Ny之値系大于该第三群组之缺陷数和该第二群组之缺陷数的比値。23.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该第二群组只包含报告大小至少与一大于该第一预设大小之第二预设大小一样小之缺陷,该些群组更包括一第三群组,该第三群组只包含报告大小至少与该第二预设大小一样大之缺陷,该选取系统分别从该第三群组、该第二群组及该第一群组中选取数目比为Nz:Ny:Nx之缺陷,以进一步地重新检视,其中Ny/Nx之値系大于该第二群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値,Nz/Nx之値系大于该第三群组之缺陷数和该第一群组之缺陷数的比値。24.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该第二群组只包含报告大小大于该第一预设大小之缺陷。25.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该第一群组只包含报告大小小于该第一预设大小之缺陷。26.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该设备更包括:一预先分类装置,用以将该些在该检测步骤中被辨认出之缺陷预先分类成n+1个递增大小范围S0,...,Sm,...Sn,n>1,0≦m<n;其中,该分类装置用以将大小落在大小范围S0,...,Sm内之缺陷分类到该第一群组,并将大小落在大小范围Sm+1,...,Sn内之缺陷分类到该第二群组。27.如申请专利范围第26项所述之设备,其中,在上述式子中,t为整数,且0≦t≦n,为非负整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。28.如申请专利范围第27项所述之设备,其中t=1。29.如申请专利范围第27项所述之设备,其中t=m+1。30.如申请专利范围第26项所述之设备,其中Nx=X/(X+Y),Ny=Y/(X+Y),在上述式子中,t为整数,且0≦t≦n,为整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。31.如申请专利范围第26项所述之设备,其中,在上述式子中,为非负整数,Di为大小落在大小范围Si内之缺陷数,i=0,...,n。32.如申请专利范围第31项所述之设备,其中=1。33.如申请专利范围第21项所述之设备,其中Ny大于Nx。34.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该设备更包括:一重新检视站,具有一用以进一步地检视该些被该选取装置所选出之缺陷的装置。35.如申请专利范围第34项所述之设备,其中该重新检视站包括一扫描式电子显微镜。36.如申请专利范围第34项所述之设备,其中该重新检视站包括一光学显微镜。37.如申请专利范围第34项所述之设备,其中该重新检视站包括一用以呈现该些缺陷给人工检视的装置。38.如申请专利范围第34项所述之设备,其中该重新检视站包括一自动缺陷重新检视系统。39.如申请专利范围第21项所述之设备,其中该检测系统包括一机器视觉系统。图式简单说明:第1图绘示乃传统之可视检测系统所报告之缺陷大小分布的示意图。第2图绘示乃传统之用以于半导体晶圆制程中分析可视缺陷之方法的流程图。第3图绘示乃依据本发明之较佳实施例之用以分析晶圆制程中之积体电路之缺陷之设备的方块图。第4图绘示乃半导体晶圆上之缺陷的示意图。第5图绘示乃依据本发明之较佳实施例之用以分析晶圆制程中之积体电路之缺陷之方法的流程图。第6图绘示乃依照本发明之一特定实施例之用以详细地解释第5图之步骤如何被执行的流程图。 |
