| 主权项 |
1.一种形成半导体元件之闸电极的方法,该方法包括下列步骤:i)依序在半导体基板上形成闸极氧化层、矽掺杂层、氮化钨层、钨金属层和蚀刻保护层;ii)将蚀刻保护层制作图形;iii)使用图形后的蚀刻保护层蚀刻钨金属层和氮化钨层以露出矽掺杂层;iv)在露出矽掺杂层的部分及其侧面布植预定的加速氧化离子;v)蚀刻露出的矽掺杂层;且vi)再氧化所得到的基板而在蚀刻的矽掺杂层旁边形成再氧化层。2.如申请专利范围第1项的方法,其中预定的加速氧化离子包括锗。3.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤iv)的能量介于30到200 KeV之间。4.如申请专利范围第1项的方法,其中离子布植步骤iv)的投射范围(Rp)为露出的矽掺杂层部分厚度的500。5.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤iv)的离子布植角度范围为0至10。6.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤vi)再氧化的温度低于1000℃。图式简单说明:第1图是传统闸极再氧化制程的闸电极横截面图;第2A到2G图是根据本发明实施例形成半导体元件闸电极之方法的横截面图;和第3图是第2E图离子布植制程时蚀刻保护层旁边的布植离子分布图。 |
