半导体装置

摘要

本发明提供一种减少电容元件的电压依存性且提高PN接合耐压的半导体装置。在P型矽基板(1)的表面上配置第1N阱(2)，在该第1N阱(2)内，与其重叠而配置有第2N阱(3)。在闸极绝缘膜(4)上的全面及场绝缘膜(5)的一部分上配置闸极电极(8)。然后，在第2N阱(3)的表面形成具有高P型杂质浓度的P+型扩散层(6)。 P+型扩散层(6)的端部系与电场集中的场绝缘膜(5)的端部(闸极绝缘膜(4)与场绝缘膜(5)连接的部位)分隔开。亦即，P+型扩散层(6)的端部系从场绝缘膜(5)的端部，向闸极绝缘膜(4)的方向朝内侧分隔地配置。

主权项

1.一种半导体装置,其特征为具有:第1导电型半导体基板;在前述第1导电型半导体基板的表面上配置的第2导电型的第1阱;配置于前述第1阱内的第2导电型的第2阱;在前述第2阱的表面上配置的第1导电型的第1扩散层;配置于前述第1扩散层上的电容绝缘膜;相邻于前述电容绝缘膜且配置为包围其周边的场绝缘膜;以及配置于前述电容绝缘膜上的电极,其中前述第1扩散层的端部系从前述场绝缘膜的端部予以分隔地配置。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,具有比前述第1扩散层浓度低而将前述第1扩散层包括在内的第1导电型的第2扩散层。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述第2扩散层的端部系整合配置于前述场绝缘膜的端部。4.一种半导体装置,其特征为具有:第1导电型半导体基板;在前述第1导电型半导体基板的表面上配置的第2导电型的第1阱;配置于前述第1阱内的第1导电型的第2阱;在前述第2阱的表面上配置的第1导电型的扩散层;配置于前述扩散层上的电容绝缘膜;相邻于前述电容绝缘膜且配置为包围其周边的场绝缘膜;以及配置于前述电容绝缘膜上的电极。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述扩散层的端部系整合配置于前述场绝缘膜的端部。6.如申请专利范围第4或5项之半导体装置,其中,在前述第1阱内,具有与前述第2阱相邻配置的第2导电型的第3阱。图式简单说明:第1图是用以实施本发明的最佳第1形态的半导体装置的平面图。第2图是沿第1图的X-X线的剖面图。第3图是用以实施本发明的最佳第2形态的半导体装置的平面图。第4图是沿第3图的Y-Y线的剖面图。第5图是表示电容元件的闸极电压依存性的图。第6图是表示包含习知例的电容元件的半导体装置的剖面图。