发明名称 大储能电感线圈结构改良
摘要 本创作系提供一种大储能电感线圈结构改良,系包含一开磁路电感本体及等均压成型磁芯外罩,形成闭磁回路之大储能电感线圈,其中,该等均压成型磁芯外罩系为一两端内呈中空开放状之中空部,俾供与开磁路电感本体相套合为一体,该开磁路电感本体系使用等均压成型磁芯棒与螺旋线圈结合而成,螺旋线圈亦可使用射出技术形成呈透孔两端之绝缘封罩,俾供包覆螺旋绕设中空状之中空部线圈,又该螺旋线圈中空部置设一长条状等均压成型磁芯棒,该螺旋线圈外侧二端,延设有第一接脚及第二接脚,藉由该对接脚由等均压成型磁芯外罩内部穿露至等均压成型磁芯外罩外部,俾可达到摒除以人工绕线所导致脚距不一之缺失,免除于人工绕线加工之工时,同时可防止线圈受外力而导致破皮短路之目的者。
申请公布号 TWM269555 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW093219686 申请日期 2004.12.07
申请人 美桀科技股份有限公司 发明人 彭桂美
分类号 H01F5/00 主分类号 H01F5/00
代理机构 代理人 林宜宏 台北县新庄市昌隆街88号4楼
主权项 1.一种大储能电感线圈结构改良,系包含:一螺旋线圈,该设有一中空部,亦可使用射出技术将螺旋线圈包覆;一等均压成型磁芯棒,其系置设于线圈之中空部,与螺旋线圈组合形成开磁路电感本体;一等均压成型磁芯外罩,其系为一内呈两端中空开放状之中空部,俾藉以与开磁路电感本体相套合为一闭磁路电感线圈者。2.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该螺旋线圈设有一中空部。3.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该线圈使用射出技术将螺旋线圈包覆时,亦设有一中空部。4.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该线圈为螺旋绕设中空状之中空部线圈并延设有第一接脚及第二接脚。5.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该线圈使用射出技术将螺旋线圈包覆时,该第一接脚及第二接脚由绝缘封罩内部穿露至绝缘封罩外部。6.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该螺旋线圈中空部俾与一长条状等均压成型磁芯棒组合形成开磁路电感本体。7.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该等均压成型磁芯外罩系为一内呈两端中空开放状之中空部外罩。8.依专利申请范围第1项所述之一种大储能电感线圈结构改良,其中,该等均压成型外罩与开磁路电感本体相套合为一闭磁路电感线圈。图式简单说明:第一图系为一般环型电感线圈正确结构示意图。第二图系为一般环型电感线圈电感磁距及脚位误差结构示意图。第三图系为本创作之内部含射出技术形成绝缘封罩分解图。第四图系为本创作组合前含射出技术形成绝缘封罩示意图。
地址 台北县中和市中正路716号15楼之3