| 主权项 |
1.一种使用于矩阵液晶显示单元之半导体装置,包含:一基底,具有一绝缘表面;一半导体岛状区,形成于基底上方,该半导体岛状区包括以第一杂质掺杂的源区及汲区,一通道区,形成于半导体岛状区中,介于该源区与汲区之间,一通道接触区,形成于半导体岛状区中,该通道接触区掺杂以第二杂质,以提供与源区及汲区相反的导电型式;一闸绝缘膜,与通道接触区相邻;及一闸极,与闸绝缘膜相邻,其中通道接触区被电气地连接至通道区,其中闸极是位在通道区上方。2.如申请专利范围第1项之使用于矩阵液晶显示单元之半导体装置,进一步包含一端子,允许施加电压至通道接触区,其影响通道区之形成。3.一种使用于矩阵液晶显示单元之移位暂存器,具有至少一薄膜电晶体,此薄膜电晶体包含:一基底,具有一绝缘表面;一半导体岛状区,形成于基底上方,该半导体岛状区包括以第一杂质掺杂的源区及汲区,一通道区,形成于半导体岛状区中,介于该源区与汲区之间,一通道接触区,形成于半导体岛状区中,该通道接触区掺杂以第二杂质,以提供与源区及汲区相反的导电型式;一闸绝缘膜,与通道接触区相邻;及一闸极,与闸绝缘膜相邻,其中通道接触区被电气地连接至通道区,其中闸极是位在通道区上方。4.如申请专利范围第3项之使用于矩阵液晶显示单元之移位暂存器,进一步包含一端子,允许施加电压至通道接触区,其影响通道区之形成。5.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:多数图素,于基底上方;多数薄膜电晶体,提供在多数图素;多数信号线,形成于基底上方,用于供给显示信号至多数图素;多数扫描线,延伸越过多数信号线;一信号线驱动电路,用于驱动多数信号线,其中信号线驱动电路包含至少一第二薄膜电晶体,形成于基底上方;及一扫描线驱动电路,形成于基底上方,用于驱动多数扫描线,其中信号线驱动电路之该至少一第二薄膜电晶体包含:一半导体岛状区,形成于基底上方,该半导体岛状区包括以第一杂质掺杂的源区及汲区,一通道区,形成于半导体岛状区中,介于该源区与汲区之间,一通道接触区,形成于半导体岛状区中,该通道接触区掺杂以第二杂质,以提供与源区及汲区相反的导电型式;一闸绝缘膜,与通道接触区相邻;及一闸极,与闸绝缘膜相邻,其中通道接触区被电气地连接至通道区,其中闸极是位在通道区上方。6.如申请专利范围第5项之主动矩液晶阵型显示装置,进一步包含一端子,允许施加电压至通道接触区,其影响通道区之形成。7.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:多数图素,于基底上方;多数薄膜电晶体,提供在多数图素;多数信号线,形成于基底上方,用于供给显示信号至多数图素;多数扫描线,延伸越过多数信号线;一信号线驱动电路,形成于基底上方,用于驱动多数信号线;及一扫描线驱动电路,用于驱动多数扫描线,其中扫描线驱动电路包含至少一第二薄膜电晶体,形成于基底上方,其中扫描线驱动电路之该至少一第二薄膜电晶体包含:一半导体岛状区,形成于基底上方,该半导体岛状区包括以第一杂质掺杂的源区及汲区,一通道区,形成于半导体岛状区中,介于该源区与汲区之间,一通道接触区,形成于半导体岛状区中,该通道接触区掺杂以第二杂质,以提供与源区及汲区相反的导电型式;一闸绝缘膜,与通道接触区相邻;及一闸极,与闸绝缘膜相邻,其中通道接触区被电气地连接至通道区,其中闸极是位在通道区上方。8.如申请专利范围第7项之主动矩阵型液晶显示装置,进一步包含一端子,允许施加电压至通道接触区,其影响通道区之形成。9.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:多数图素,于基底上方;多数信号线,形成于基体上方,用于供给显示信号至多数图素;多数扫描线,延伸越过多数信号线;一信号线驱动电路,用于驱动多数信号线,其中信号线驱动电路包含至少一第一薄膜电晶体,形成于基底上方;及一扫描线驱动电路,用于驱动多数扫描线,其中扫描线驱动电路包含至少一第二薄膜电晶体,形成于基底上方,各至少一第一及第二薄膜电晶体包含:一半导体岛状区,具有源区、汲区及通道区于其中;一闸极,与通道区相邻,闸绝缘膜置于闸极与通道区之间;及一端子,允许施加电压,以影响通道区之形成,其中选定施加至信号线驱动电路之第一薄膜电晶体的端子之电压,使得第一薄膜电晶体之临限电压低于没有施加电压之状态,而选定施加至扫描线驱动电路之第二薄膜电晶体的端子之电压,使得第二薄膜电晶体之临限电压高于没有施加电压之状态,其中闸极是位在通道区上方。10.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:多数图素,于基底上方;多数信号线,形成于基体上方,用于供给显示信号至多数图素;多数扫描线,延伸越过多数信号线;一信号线驱动电路,用于驱动多数信号线,其中信号线驱动电路包含至少一第一薄膜电晶体,形成于基底上方;及一扫描线驱动电路,用于驱动多数扫描线,其中扫描线驱动电路包含至少一第二薄膜电晶体,形成于基底上方,各至少一第一及第二薄膜电晶体包含:一半导体岛状区,具有源区、汲区及通道区于其中;及一闸极,与通道区相邻,闸绝缘膜置于闸极与通道区之间;其中信号线驱动电路之第一薄膜电晶体包一机构,用于减小其临限电压,且扫描线驱动电路之第二薄膜电晶体设有一机构,用于增加其临限电压,其中闸极是位在通道区上方。图式简单说明:图1显示本发明第一实施例的矩阵型液晶显示单元;图2显示使用TFT之主动矩阵的一例;图3A和3B显示使用非晶矽TFT之主动矩阵的传统例;图4A和4B显示使用多晶矽TFT之主动矩阵的传统例;图5A和5B代表传统TFT的汲极电流对闸极电压特性;图6显示反相器电路一例;图7是显示用于本发明之TFT的平面图;图8A至8C代表TFT的汲极电流对闸极电压特性;图9是显示TFT的剖面图;图10显示反相器电路一例;图11A和11B显示本发明第一实施例的临限値控制电路;图12显示本发明第二实施例的矩阵型液晶显示单元;图13显示本发明第二实施例的临限値控制电路;图14显示临限値控制电路的等效电路例子。 |
