来自体型半导体之鳍式场效电晶体装置及其形成之方法

摘要

本发明提供一种装置结构及已克服先前技术众多缺点的鳍式场效电晶体(FET)制成方法。具体而言，该装置结构及方法提供自体型半导体晶圆制成鳍式场效电晶体装置之能力，同时提供改良的晶圆间装直均匀度。具体而言，该方法有利于自体型半导体晶圆制成鳍式场效电晶体装置，同时可改良鳍片高度控制。此外，该方法提供自体型半导体制成鳍式场效电晶体之能力，同时提供各鳍片之间及单个鳍式场效电晶体的源极区与汲极区之间的绝缘。最后，该方法亦可最佳化鳍片宽度。本发明之装置结构及方法由此提供制造一致的鳍式场效电晶体且同时使用具成本效益的体型晶圆之优点。

主权项

1.一种用于在半导体基板中制成一鳍式场效电晶体之方法,该方法包括下列步骤:自该半导体基板制成一鳍片;及对该基板实施一可进一步界定该鳍片宽度且同时绝缘该鳍片的制程。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中"对该基板实施一可进一步界定该鳍片宽度且同时绝缘该鳍片的制程"之步骤包括:损坏邻接该鳍片的半导体基板区域之至少一部分;及氧化该半导体基板,使形成于该半导体基板受损部分中的氧化物厚于形成于一鳍片侧壁上的氧化物。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中"损坏邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分"之步骤包括:向邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分实施一离子植入。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该离子植入包括:实质上平行于该鳍片实施一植入,以最小化对该鳍片侧壁的损坏。5.根据申请专利范围第3项之方法,其进一步包括在该鳍片之一顶部提供一阻挡层以减小对该鳍片的损坏之步骤。6.根据申请专利范围第2项之方法,其中"损坏邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分"之步骤包括:实施一阳极反应以提高邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分的孔隙度。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中"实施一阳极反应以提高邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分的孔隙度"之步骤包括:对毗邻该鳍片的半导体基板实施一p型植入,使该半导体基板退火,并使半导体基板之至少一部分接受一化学蚀刻剂作用。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中"自该半导体基板制成一鳍片"之步骤包括:在该半导体基板中制成一高度控制层;及蚀刻该半导体基板以界定该鳍片,从而使该高度控制层有利于达成鳍片高度均匀度。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中"在该半导体基板中制成一高度控制层"之步骤包括:对该半导体基板实施一可损坏该基板之离子植入,藉以使该基板受损部分之蚀刻速度相对于该基板未受损部分发生改变。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中"在该半导体基板中制成一高度控制层"之步骤包括:在该半导体基板中制成一标记层,且其中"蚀刻该半导体基板以界定该鳍片,从而使该高度控制层有利于达成鳍片高度均匀度"之步骤包括:在该半导体基板蚀刻过程中监测该标记层。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中"对该基板实施一可进一步界定该鳍片宽度且同时绝缘该鳍片的制程"之步骤可将该鳍片宽度缩窄至小于一用于"自该半导体基板制成一鳍片"之步骤的制程的最小形体尺寸。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中"对该基板实施一可进一步界定该鳍片宽度且同时绝缘该鳍片的制程"之步骤可将该鳍片宽度缩窄至小于一用于"自该半导体基板制成一鳍片"之步骤的制程的最小形体尺寸。13.一种在半导体基板中制成一鳍式场效电晶体之方法,该方法包括下列步骤:自该半导体基板制成一包括一鳍片侧壁的鳍片,该鳍片的制成使毗邻于该鳍片的该半导体基板区域暴露出来;损坏邻接该鳍片的半导体基板区域之至少一部分;及氧化该半导体基板,使形成于该半导体基板受损部分中的氧化物厚于形成于该鳍片侧壁上的氧化物。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中"损坏邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分"之步骤包括:对邻接该鳍片的半导体基板之该至少一部分实施一离子植入。15.根据申请专利范围第13项之方法,其中"损坏邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分"之步骤包括:实施一阳极反应,以提高邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分之孔隙度。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中"实施一阳极反应,以提高邻接该鳍片的半导体基板之至少一部分之孔隙度"之步骤包括:对邻接该鳍片的半导体基板实施一p型植入,使该半导体基板退火,并使该半导体基板之至少一部分接受一化学蚀刻剂作用。17.根据申请专利范围第13项之方法,其中"自该半导体基板制成一鳍片"之步骤包括:在该半导体基板中制成一高度控制层;及蚀刻该半导体基板以界定该鳍片,从而使该高度控制层有利于达成鳍片高度均匀度。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中"在该半导体基板中制成一高度控制层"之步骤包括:对该半导体基板实施一可损坏该基板主离子植入,藉以使基板受损部分之蚀刻速度相对于基板未受损部分发生改变。19.根据申请专利范围第17项之方法,其中"在该半导体基板中制成一高度控制层"之步骤包括:在该半导体基板中制成一标记层,且其中"蚀刻该半导体基板以界定该鳍片,从而使该高度控制层有利于达成鳍片高度均匀度"之步骤包括:在蚀刻该半导体基板过程中监测该标记层。20.一种自一体型半导体基板制成鳍式场效电晶体装置之方法,该方法包括下列步骤:在该半导体基板中制成一高度控制层;在该半导体基板上制成一阻挡硬光罩层;蚀刻该阻挡硬光罩层及半导体基板,以界定复数个鳍片,从而使该高度控制层有利于达成鳍片高度均匀度,其中该阻挡硬光罩层的一部分留存于该复数个鳍片的每一鳍片上,且其中该复数个鳍片中的每一鳍片皆包括一侧壁,且其中蚀刻该半导体基板可暴露出毗邻该鳍片的半导体基板区域;损坏邻接该鳍片的半导体基板区域之至少一部分;氧化该半导体基板,从而使形成于该半导体基板受损部分中的氧化物厚于形成于该鳍片侧壁上的氧化物;及自该鳍片侧壁移除氧化物,同时留存邻接该鳍片的氧化物之至少一部分。图式简单说明:图1为一阐释本发明一制造方法之流程图;图2-7为在图1所示制造方法过程中,本发明一半导体结构之一具体实施例之剖面侧视图。