| 主权项 |
1.一种植入式电阻之通孔连接基板结构,包括:一核心层,系为绝缘材料;及复数个导通孔,该导通孔系贯穿该核心层,以供填入高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR),且于填入高分子厚膜电阻胶后,于各该导通孔的两端,各形成有一焊球(solder ball)或一圆垫(pad)供电性连接。2.如申请专利范围第1项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该核心层可为一胶片。3.如申请专利范围第2项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该核心层进一步包含一层铜箔,其中该铜箔系加覆于该胶片的上方。4.如申请专利范围第1项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该焊球的成份可为金属锡,或含有金属锡的合金。5.如申请专利范围第1项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中圆垫的成份可为金属铜,或含有金属铜的合金。6.如申请专利范围第1项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该导通孔系藉由调整该导通孔的径长比,使得填入高分子厚膜电阻胶(polymer thick filmresistor,PTFR)之数量改变,因而得到所要求的电阻値。7.如申请专利范围第1项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该导通孔系藉由填入一至数个导通孔之高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之电阻値的改变,因而降低大径长比厚膜电阻所产生之寄生电感。8.如申请专利范围第7项之植入式电阻之通孔连接基板结构,其中该降低所产生之寄生电感的等效电路特性,可形成分配式(distributed)元件效果,可用于调整高频系统元件之电容性与电感性。9.一种植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,包括下列步骤:(a)提供一双面金属箔基板;(b)于该双面金属箔基板的上方,对该金属进行曝光、显影、与蚀刻,以形成预留复数个导通孔之预定位置;(c)于该金属箔基板的上方,将一铜箔胶片压合;(d)配合该导通孔之预定位置,于该铜箔为片上进行雷射穿贯该导通孔;(e)进行印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick filmresistor,PTFR),用以植入高分子厚膜电阻胶(polymerthick film resistor,PTFR)于该导通孔内:(f)制作一导通线路之步骤;(g)继续下一层路线,可如同步骤(c),(d),(f)的方式制作。10.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中该印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之步骤,可为滚轮(roller)印刷涂布的方式。11.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中该印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之步骤,可为网印(screen printing)印刷涂布的方式。12.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中该印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之步骤,可为钢板印刷(stencil printing)印刷涂布的方式。13.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中该印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之步骤,可为点胶印刷(dispenser printing)印刷涂布的方式。14.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中该印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)之步骤,可为喷墨印刷(ink-jet printing)印刷涂布的方式。15.如申请专利范围第9项之植入式电阻之通孔连接基板结构的制法,其中于步骤(b)与步骤(c)之间,进一步包括:进行植入式高分子厚膜电阻胶(polymerthick film resistor,PTFR)于该金属箔蚀刻后的两相邻铜垫间之步骤。图式简单说明:第一图系根据习知技艺,以印刷涂布高分子厚膜电阻胶(polymer thick film resistor,PTFR)基板结构的剖面图。第二图系根据本发明一种植入式电阻之通孔连接基板结构之剖面图。第三图为根据本发明一种植入式电阻之通孔连接基板结构,导通孔的立体图。第四图为根据本发明一种植入式电阻之通孔连接基板结构,制法的流程图。 |
