| 主权项 |
1.一种蚀刻系统,包含:一处理槽,具有一含矽蚀刻液;一冷却槽;一第一管路,可自该处理槽输送该蚀刻液至该冷却槽;一预热槽;一第二管路,可自该冷却槽输送该蚀刻液至该预热槽;以及一第三管路,可自该预热槽输送该蚀刻液至该处理槽。2.如申请专利范围第1项之蚀刻系统,其中该冷却槽内之蚀刻液被冷却至一第一温度,用以使该蚀刻液之矽浓度呈一饱和状态。3.如申请专利范围第2项之蚀刻系统,其中该第一温度系介于80℃至120℃之间。4.如申请专利范围第2项之蚀刻系统,其中该预热槽将该蚀刻液加热至一第二温度,用以使该蚀刻液之矽浓度呈一非饱和状态。5.如申请专利范围第4项之蚀刻系统,其中该第二温度高于该第一温度至少10℃。6.如申请专利范围第1项之蚀刻系统,其另包含:一过滤器,具有一入口端及一出口端;一第四管路,用以自该冷却槽输送该蚀刻液至该过滤器之入口端;以及一第五管路,用以自该过滤器之出口端输送该蚀刻液至该冷却槽。7.如申请专利范围第6项之蚀刻系统,其中该过滤器具有复数个小于0.1微米之开孔,可去除该蚀刻液中大于该开孔之矽化物微粒。8.如申请专利范围第7项之蚀刻系统,其另包含:一第六管路,连接于该过滤器之入口端;以及一第七管路,连接于该过滤器之出口端;其中可自该第六管路输入一包含氢氟酸之溶液以溶解试过滤器上之矽化物微粒,并自该第七管路输出。9.如申请专利范围第7项之蚀刻系统,其另包含:一第六管路,连接于该过滤器之入口端;以及一第七管路,连接于该过滤器之出口端;其中可自该第七管路输入一去离子水以清洗去除该过滤器上之矽化物微粒,并自该第六管路输出。10.如申请专利范围第1项之蚀刻系统,其中该处理槽内之蚀刻液温度等于该预热槽内之蚀刻液温度。11.一种蚀刻液处理方法,包含:利用一蚀刻液进行一含矽薄膜之蚀刻制程;冷却该蚀刻液至一第一温度,以形成一矽饱和蚀刻液;过滤该矽饱和蚀刻液中大于一预定尺寸之矽化物微粒;加热该矽饱和蚀刻液至一第二温度,以形成一非饱和蚀刻液;以及利用该非饱和蚀刻液进行另一蚀刻制程。12.如申请专利范围第11项之蚀刻液处理方法,其中该第一温度系介于80℃至120℃之间。13.如申请专利范围第11项之蚀刻液处理方法,其中该第二温度高于该第一温度至少10℃。14.如申请专利范围第11项之蚀刻液处理方法,其中过滤该矽化物微粒系将该矽饱和蚀刻液以一顺流方式通过一过滤器,该过滤器具有复数个小于0.1微米之开孔以去除该矽饱和蚀刻液中大于该开孔之矽化物微粒。15.如申请专利范围第14项之蚀刻液处理方法,其另包含将一去离子水以一逆流方式通过该过滤器,以去除该过滤器上之矽化物微粒。16.如申请专利范围第14项之蚀刻液处理方法,其另包含将一含氢氟酸之溶液以一顺流方式通过该过滤器,以去除该过滤器上之矽化物微粒。17.如申请专利范围第11项之蚀刻液处理方法,其中该蚀刻制程系在该第二温度下进行。图式简单说明:图1至图3例示习知在一晶圆上进行之浅沟槽隔离制程;图4例示一习知蚀刻装置;图5及图6显示习知之蚀刻液之矽浓度变化;图7显示蚀刻液之矽浓度与蚀刻速率及矽化物微粒浓度之关系;图8显示蚀刻液之矽饱和浓度(即矽之溶解度)与温度之关系;图9例示本发明之蚀刻系统;以及图10显示本发明之蚀刻液之矽浓度变化。 |
