| 摘要 |
本发明揭示一种对一非挥发性记忆体之一电晶体(10)之一电荷储存位置进行放电之方法，其包括分别向该电晶体之一控制闸极(28)与一井区域(12)施加第一及第二电压。将该第一电压施加给该电晶体之该控制闸极，其中该控制闸极具有位置邻近该电晶体之一选择闸极(18)之至少一部分。该电晶体包括一电荷储存位置，该电荷储存位置具有奈米丛集(24)，该等奈米丛集(24)系置放在该电晶体之位于该控制闸极下的一结构之介电材料(22、26)内。最后，向位于该控制闸极下之井区域(12)施加一第二电压。施加该第一电压及该第二电压产生横跨该结构之一电压差以从该电荷储存位置之奈米丛集释放电子。 |
