发明名称 高频装置
摘要 一种高频装置,其具有:半导体基板;形成于基板上之高频电路层,且包括电路元件与多层布线层;导电垫;连接至导电垫之重新布线层;形成于第一电性绝缘层与重新布线层上之电性绝缘密封层,且其厚度大于多层布线层之厚度;设置于电性绝缘密封层内、以及介于重新布线层与安装连接端子之间之导电柱。第一导电柱对应于电源,其具有第一直径;第二导电柱对应于输入放大器之输入,其具有小于第一直径之第二直径;以及第三导电柱对应于功率输出放大器之输出,其具有大于第二直径之第三直径。
申请公布号 TW200522288 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW093125790 申请日期 2004.08.27
申请人 富士通股份有限公司 发明人 小林一彦;近藤史隆
分类号 H01L23/12;H01L21/60 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本