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经营范围
发明名称
高频装置
摘要
一种高频装置,其具有:半导体基板;形成于基板上之高频电路层,且包括电路元件与多层布线层;导电垫;连接至导电垫之重新布线层;形成于第一电性绝缘层与重新布线层上之电性绝缘密封层,且其厚度大于多层布线层之厚度;设置于电性绝缘密封层内、以及介于重新布线层与安装连接端子之间之导电柱。第一导电柱对应于电源,其具有第一直径;第二导电柱对应于输入放大器之输入,其具有小于第一直径之第二直径;以及第三导电柱对应于功率输出放大器之输出,其具有大于第二直径之第三直径。
申请公布号
TW200522288
申请公布日期
2005.07.01
申请号
TW093125790
申请日期
2004.08.27
申请人
富士通股份有限公司
发明人
小林一彦;近藤史隆
分类号
H01L23/12;H01L21/60
主分类号
H01L23/12
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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