发明名称 | 奈米粒子之制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种奈米粒子之制备方法,其包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一牺牲层;于该牺牲层上形成一欲制备成奈米粒子之材质层;于该材质层上形成一光阻剂层;将所需之奈米图样转印于光阻剂层;将材质层蚀刻出所需之奈米图样;除去光阻剂层及牺牲层,过滤出奈米粒子。本发明系利用深次微米微影蚀刻技术制备奈米粒子,由于该方法所获得之奈米粒子系由微影蚀刻所控制,故可确保该奈米粒子具有预定之形状及大小,且其形状及大小之单一性亦非常高。 | ||
申请公布号 | TW200521623 | 申请公布日期 | 2005.07.01 |
申请号 | TW092136533 | 申请日期 | 2003.12.23 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 张仁淙 |
分类号 | G03F7/00;B82B1/00 | 主分类号 | G03F7/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |