发明名称 奈米粒子之制备方法
摘要 本发明提供一种奈米粒子之制备方法,其包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一牺牲层;于该牺牲层上形成一欲制备成奈米粒子之材质层;于该材质层上形成一光阻剂层;将所需之奈米图样转印于光阻剂层;将材质层蚀刻出所需之奈米图样;除去光阻剂层及牺牲层,过滤出奈米粒子。本发明系利用深次微米微影蚀刻技术制备奈米粒子,由于该方法所获得之奈米粒子系由微影蚀刻所控制,故可确保该奈米粒子具有预定之形状及大小,且其形状及大小之单一性亦非常高。
申请公布号 TW200521623 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW092136533 申请日期 2003.12.23
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 张仁淙
分类号 G03F7/00;B82B1/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号