电晶体及其闸极绝缘膜之成膜用CVD装置

摘要

本发明于抑制起因于所成膜之膜中的含氟之特性降低之电晶体方面，将闸极绝缘膜(3)中之含氟浓度抑制在1×10^20 atoms／cm^3以下。藉此，即使在比较高的温度下经长时间被驱动时，亦可得到优良之可靠性。