| 主权项 |
1.一种发光二极体之测试结构,包括: 一磊晶层; 数电极,其系设置于该磊晶层上表面; 一金属层,其系设置于该磊晶层下表面;以及 一测试层,其系设置于该金属层下表面。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之测试 结构,其中,该测试层系选自单针底座及导电胶其 中之一者。 3.一种发光二极体之测试结构之制造方法,其步骤 包括: 提供一基板; 形成一磊晶层在该基板上表面; 形成一金属层在该磊晶层上表面; 研磨该基板; 蚀刻该基板,以移除该基板而剩下该磊晶层及该金 属层; 在该磊晶层下表面接合数电极; 进行反转,以使该金属层位于最下层;以及 形成一测试层于该金属层下表面,以形成一发光二 极体之测试结构。 4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体之测试 结构之制造方法,其中,系对其中一该电极及该测 试层进行电气特性测试。 5.如申请专利范围第3项所述之发光二极体之测试 结构之制造方法,其中,在研磨该基板之步骤中,系 研磨该基板至1~5微米。 图式简单说明: 第1图为习知测试发光二极体之各步骤之结构剖视 图。 第2图为本发明之发光二极体之测试结构之结构剖 视图。 第3图本发明之发光二极体之测试结构之另一实施 例。 第4(a)图至第4(g)图为第2图之各步骤结构剖视图。 |
