| 主权项 |
1.一种储存元件的制造方法,该储存元件具有:一对 固态电极、插入该固态电极之间的一隔片、一对 集电板及密合垫,各密合垫系成包含一隔片侧密合 垫与一集电板侧密合垫的一多层结构,该储存元件 的制造方法包含以下步骤: 对于各密合垫,将其隔片侧密合垫与集电板侧密合 垫层叠在一起而成为单一单元,并藉以形成一对多 层结构的密合垫,其中该隔片侧密合垫具有一个其 内部尺寸与固态电极的外部尺寸实质上相同的开 孔,而该集电板侧密合垫具有一个其内部尺寸比隔 片侧密合垫的开孔的内部尺寸大的开孔; 将该集电板中的每一个分别熔合至该密合垫的集 电板侧密合垫之每一个; 将电解溶液注入该密合垫中的每一个内部空间中; 将该固态电极之每一个分别装设在该密合垫中的 每一个内,使得该固态电极中的每一个之一表面分 别连接至该集电板中的每一个;而且 将该对密合垫连接在一起,使该固态电极中的每一 个之另一表面隔着该插入的隔片而互相面对。 2.如申请专利范围第1项所述之储存元件的制造方 法,其中将该集电板熔合至该集电板侧密合垫之步 骤在将该隔片侧密合垫与集电板侧密合垫层叠在 一起而成为单一单元的步骤之后。 3.如申请专利范围第1项所述之储存元件的制造方 法,其中将该集电板熔合至该集电板侧密合垫之该 步骤与将该隔片侧密合垫与集电板侧密合垫层叠 在一起而成为单一单元的之该步骤系同时进行。 4.如申请专利范围第1项所述之储存元件的制造方 法,其中该储存元件形成一个二次电池,而该对固 态电极其中之一为正电极,另一个为负电极。 5.如申请专利范围第1项所述之储存元件的制造方 法,其中该储存元件为一双电荷层电容器。 图式简单说明: 图1显示一示意之剖面图,说明本发明之储存元件 之一基本单元的内部结构。 图2A到2D显示示意之剖面图,说明本发明之储存元 件之制造方法。 图3A到3B显示示意之剖面图,说明形成本发明之储 存元件之密合垫的步骤。 图4显示一示意之剖面图,说明一储存元件之比较 例之一基本单元。 |
