| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括: 一熔丝元件,藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断,在该熔丝元件其中一端施加一第一电压;及 一MOS型电晶体,其具有源极、闸极和汲极端点,以 及一位于该熔丝元件另一端与源极和汲极端点之 一端点间的连接点,以及一低于该第一电压的第二 电压系施加至源极和汲极端点之另一端点, 其中: 该第一电压和该第二电压、该MOS型电晶体的特征 曲线及该熔丝元件的一电阻値必须经过选择,以便 在施加预设的程式化电压至该闸极端点时便能够 烧断该熔丝元件;以及 该熔丝元件的电阻値必须设定成一数値,当施加该 程式化电压至该闸极端点时,该连接点的一电压与 该第二电压间的一电压差必须低于该MOS型电晶体 的一汲极电流开始饱和时的一汲极电压。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该熔丝 元件的电阻値必须进一步设定成一数値,当施加该 程式化电压至该闸极端点时,该连接点的电压与该 第二电压间的一电压差必须高于该MOS型电晶体的 汲极电流与汲极电流成正比的一线性区中的汲极 电压。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该MOS型 电晶体的程式化电压几乎等于该第一电压。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该MOS型 电晶体的闸极端点及该熔丝元件系由一相同层所 构成的。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该相同 层系由聚合矽化物所构成的。 6.一种半导体装置,其包括: 一熔丝元件,藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断,在该熔丝元件其中一端施加一第一电压;及 一MOS型电晶体,其具有源极、闸极和汲极端点,以 及一位于该熔丝元件另一端与源极和汲极端点之 一端点间的连接点,以及一低于该第一电压的第二 电压系施加至源极和汲极端点之另一端点, 其中: 该第一电压和该第二电压、该MOS型电晶体的特征 曲线以及该熔丝元件的电阻値必须经过选择,以便 在施加一预设的程式化电压至该闸极端点时便能 够烧断该熔丝元件;以及 该熔丝元件的电阻値必须设定成一数値,让能够烧 断该熔丝元件的一最小功率不会小于该熔丝元件 经由该MOS型电晶体之电流-电压特征曲线计算得到 的最大消耗功率的90%。 7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该MOS型 电晶体的闸极端点及该熔丝元件系由一相同层所 构成。 8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中该相同 层系由聚合矽化物所构成。 9.一种半导体装置,其包括: 一熔丝元件,藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断,在该熔丝元件其中一端施加一第一电压;又 一MOS型电晶体,其具有源极、闸极和汲极端点,以 及一位于该熔丝元件另一端与源极和汲极端点之 一端点间的连接点,以及一低于该第一电压的第二 电压系施加至源极和汲极端点之另一端点, 其中: 该第一电压和该第二电压、该MOS型电晶体的特征 曲线以及该熔丝元件的电阻値必须经过选择,以便 在施加一预设的程式化电压至该闸极端点时便能 够烧断该熔丝元件;以及 该熔丝元件的电阻値必须设定成一数値,让该熔丝 元件的烧断电流介于该MOS型电晶体之一饱和汲极 电流的80%至98%范围之间。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该MOS 型电晶体的闸极端点及该熔丝元件系由一相同层 所构成的。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该相 同层系由聚合矽化物所构成。 12.一种制造一半导体装置的方法,其包括下面的步 骤: 在一基板上串联一熔丝元件及一MOS型电晶体,其中 该熔丝元件藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断; 该MOS型电晶体具有源极、闸极和汲极端点,以及一 位于该熔丝元件其中一端与源极和汲极端点之一 端点间的连接点;以及 将一高于该MOS型电晶体一汲极电流开始饱和时的 一汲极电压的电压施加至该熔丝元件另一端与源 极和汲极端点之另一端点之间;施加一预设的程式 化电压至该闸极端点,并且藉由将位于该熔丝元件 与该MOS型电晶体之间的连接点的电压设定成低于 该MOS型电晶体在一饱和区中其一汲极电流饱和时 的一汲极电压的一电压,以便烧断该熔丝元件。 13.一种制造一半导体装置的方法,其包括下面的步 骤: 在一基板上串联一熔丝元件及一MOS型电晶体,其中 该熔丝元件藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断,在该熔丝元件其中一端施加一第一电压;该 MOS型电晶体具有源极、闸极和汲极端点,以及一位 于该熔丝元件其中一端与源极和汲极端点之一端 点间的连接点,将一低于该第一电压的第二电压施 加至源极和汲极端点之另一端点;及 将一高于该MOS型电晶体一汲极电流开始饱和时的 一汲极电压的电压施加至该熔丝元件另一端与源 极和汲极端点之另一端点之间;施加一预设的程式 化电压至该闸极端点,并且藉由将该MOS型电晶体的 连接点的电压设定在一电压范围之中用以烧断该 熔丝元件,其中该熔丝元件的一消耗功率不会小于 该熔丝元件经由该MOS型电晶体之电流-电压特征曲 线计算得到的最大消耗功率的90%。 14.一种制造一半导体装置的方法,其包括下面的步 骤: 在一基板上串联一熔丝元件及一MOS型电晶体,其中 该熔丝元件藉由通过电流便能够以电气方式将其 烧断,在该熔丝元件其中一端施加一第一电压;该 MOS型电晶体具有源极、闸极和汲极端点,以及一位 于该熔丝元件其中一端与源极和汲极端点之一端 点间的连接点,以及将一低于该第一电压的第二电 压施加至源极和汲极端点之另一端点;及 将一高于该MOS型电晶体一汲极电流开始饱和时的 一汲极电压的电压施加至该熔丝元件另一端与源 极和汲极端点之另一端点之间;施加一预设的程式 化电压至该闸极端点,并且藉由将位于该熔丝元件 与该MOS型电晶体之间的连接点的电压设定在一电 压范围之中用以烧断该熔丝元件,其中该MOS型电晶 体之饱和电流会有80%至98%流过。 15.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该熔 丝元件的该电阻値系该熔丝元件即将烧断之前的 一数値。 16.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中该熔 丝元件的该电阻値系该熔丝元件即将烧断之前的 一数値。 17.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该熔 丝元件的该电阻値系该熔丝元件即将烧断之前的 一数値。 18.如申请专利范围第12项之制造一半导体装置的 方法,其中该熔丝元件的该电阻値系该熔丝元件即 将烧断之前的一数値。 19.如申请专利范围第13项之制造一半导体装置的 方法,其中该熔丝元件的该电阻値系该熔丝元件即 将烧断之前的数値。 20.如申请专利范围第14项之制造一半导体装置的 方法,其中该熔丝元件的该电阻値系该熔丝元件即 将烧断之前的一数値。 图式简单说明: 图1所示的系一具有熔丝元件及MOSFET之熔丝电路的 电路图,该MOSFET系当作该熔丝元件的一选择电晶体 。 图2A所示的系用以作为一选择电晶体的MOSFET之一 般电流-电压特征曲线关系图。 图2B所示的系位于一选择电晶体与一熔丝之间的 互连点电压与时间的变化关系图。 图3所示的系一熔丝消耗功率与一源极-汲极电压 的关系图。 图4所示的系根据本发明具体实施例之一半导体装 置的平面图。 图5所示的系沿着图4的直线V-V'所得到的该半导体 装置的剖面图。 图6所示的系一具体实施例之一半导体装置的电流 -电压特征曲线关系图,图中显示出选择电晶体的 操作点变化与闸极电压间的关系。 图7所示的系一具体实施例之半导体装置的电流- 电压特征曲线关系图,图中显示出改变熔丝元件的 电阻値之后,让操作点进入过渡区。 |
