| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之图案的方法,其包括: (a)在被蚀刻层之上部涂布第1次有机反射防止膜组 成物,对上述组成物进行烘烤,而形成第1次有机反 射防止膜; (b)在前述第1次反射防止膜之上部,涂布具有与第1 次反射防止膜不同折射率以及吸光度的第2次反射 防止膜组成物,并对其进行烘烤形成第2次反射防 止膜; (c)对前述形成之反射防止膜进行蚀刻步骤,而在反 射防止膜上形成细微屈曲;以及 (d)涂布光阻于前述有机反射防止膜上,曝光显影而 形成光阻图案。 2.如申请专利范围第1项所述之形成半导体装置之 图案的方法,其中前述第1次反射防止膜组成物折 射率为1.20~2.00,吸光度为0.2~0.9,第2次反射防止膜组 成物折射率以及吸光度分别为1.20~2.00、0.00~0.50。 3.如申请专利范围第2项所述之形成半导体装置之 图案的方法,其中前述第1次反射防止膜组成物为 DARC-20,第2次反射防止膜为DARC-21或DARC-22。 4.如申请专利范围第1或2项所述之形成半导体装置 之图案的方法,其中前述第1次反射防止膜系以355 的厚度形成,前述第2次反射防止膜系以1000的 厚度形成。 5.如申请专利范围第1项所述之形成半导体装置之 图案的方法,其中对前述第1次或第2次反射防止膜 进行烘烤步骤,是在150~300℃的温度下进行1~5分钟 。 6.如申请专利范围第1或5项所述之形成半导体装置 之图案的方法,其中前述曝光之前和后,还包括进 行烘烤。 7.如申请专利范围第6项所述之形成半导体装置之 图案的方法,其中前述烘烤步骤是以70~200℃的温度 进行。 8.一种利用申请专利范围第1项所述之形成半导体 装置之图案的方法制造之半导体装置。 图式简单说明: 第1图系显示有机反射防止膜之厚度与反射度的关 系图。 第2图系显示本发明之图案形成方法的一实施例中 ,有机反射防止膜之厚度产生之反射度的变化。 |
