| 主权项 |
1.一种无机多孔质膜之形成方法,其特征在于包括: 将含有至少1种的加水分解性矽烷化合物的矽氧化 物前驱体及多孔质化剂混合于溶剂、这样所得的 无机材料组成物涂布于载体上形成涂膜之步骤; 将前述涂膜乾燥之步骤,藉由使前述乾燥后的涂膜 与超临界流体接触以除去前述多孔质化剂之步骤; 以及 在除去前述多孔质化剂后将前述涂膜烧成之步骤 。 2.如申请专利范围第1项所述的无机多孔质膜之形 成方法,其中,前述超临界流体系碳氢类、醇类、 酮类、醚类、二氧化碳及一氧化碳所形成的群中 选出的至少1种化合物。 3.如申请专利范围第1或2项所述的无机多孔质膜之 形成方法,其中,前述超临界流体系25℃~100℃的温 度及10Mpa~100Mpa的压力之二氧化碳。 4.如申请专利范围第1、2或3项所述的无机多孔质 膜之形成方法,其中,前述载体系半导体基板,前述 无机多孔质膜系层间绝缘膜。 图式简单说明: 第1(a)图至第1(d)图系用于说明本发明绝缘膜的形 成方法之概略图。 第2图系对于实施例及比较例1所形成的膜,测量碳 与矽之比在深度方向的分布之结果的一例。 第3图系对于实施例及比较例1所形成的膜,测量其 介电率的结果之一例。 第4图系对于实施例及比较例2所形成的膜,测量杨 氏率的结果之一例。 第5图系对于实施例及比较例2所形成的膜,测量硬 度的结果之一例。 第6图系对于实施例及比较例2所形成的膜,测量其 空孔径分布的结果之一例。 |
