| 主权项 |
1.一种由低速电子射线激发而发光的萤光体,其组 成式为(Sr1-x-y,Mgx,Cay)TiO3:Pr,Al,而x+y之値系设成为0. 001~0.05之范围,赋活剂Pr之含量对1莫耳之Sr为0.0001~0 .1莫耳;Al之含量对1莫耳之Ti为0.001 ~1.0莫耳。 2.如申请专利范围第1项之由低速电子射线激发的 萤光体,其中x+y之値系设成0.003~0.02之范围。 3.如申请专利范围第1项之由低速电子射线激发而 发生的萤光体,其中x之値为0。 4.如申请专利范围第1项之由低速电子射线激发而 发生的萤光体,其中y之値为0。 5.如申请专利范围第1项之萤光体,其系使用于电子 射线之加速电压为1000V以下之萤光显示装置中。 6.如申请专利范围第1项之萤光体,其系使用于使用 电场发射形阴极为电子源之显示装置中。 7.如申请专利范围第1项之萤光体,其中赋活剂的Al 部分之一部份被至少一个Ga或/及In取代。 8.一种电子射线用之萤光体,其组成式为SrTiO3:Pr,Al, 于萤光体粒子之表面上扩散含有0.001~15重量%之至 少一种的Be,Mg,Ca,Sr,Ba的扩散材。 9.如申请专利范围第8项之电子射线用萤光体,其中 扩散材由萤光体粒子表面朝内部扩散的深度为50~ 400之范围。 10.如申请专利范围第8项之电子射线用萤光体,系 以使扩散材接触萤光体粒子表面上的状态再焙烧, 并扩散扩散材至萤光体粒子之表面部分上。 11.如申请专利范围第8项之电子射线用萤光体,其 中在400~1300℃再焙烧,使扩散材接触表面上之萤光 体,而使扩散材扩散至萤光体粒子之表面上。 12.如申请专利范围第8项之电子射线用萤光体,其 系使用于电子射线之加速电压在1000V以下的萤光 显示装置,或使用电场发射形阴极为电子源之显示 装置。 13.一种萤光体之制造方法,其系藉由以焙烧萤光体 原料成为SrTiO3:Pr,Al萤光体之一次焙烧步骤,及于经 焙烧的SrTiO3:Pr,Al萤光体之粒子表面上,使含Be,Mg,Ca, Sr,Ba之至少一种扩散材接触而再焙烧的再焙烧步 骤,以制造SrTiO3:Pr,Al萤光体。 14.如申请专利范围第13项之萤光体之制造方法,系 将含有经予再焙烧的萤光体以0.001~15重量%扩散材 之量的扩散材添加至萤光体内并再焙烧。 15.如申请专利范围第13项之萤光体之制造方法,系 以扩散材被覆萤光体粒子之表面并再焙烧。 16.如申请专利范围第13项之萤光体之制造方法,其 中再焙烧步骤之焙烧温度为400~1400℃。 17.一种由电子射线激发而发光的萤光体,其特征在 于其组成式为SrTiO3:Pr,Al,而Sr/Ti之莫耳比为0.88~0.99 。 18.如申请专利范围第17项之萤光体,其中Sr/Ti之莫 耳比为0.92~0.99。 19.如申请专利范围第17项之萤光体,其系使用于电 子射线加速电压为1000V以下的萤光显示装置。 20.如申请专利范围第17项之萤光体,其系使用于使 用电场发射型阴极于电子源之显示装置。 21.如申请专利范围第17项之萤光体,其系未予添加 导电物质。 22.如申请专利范围第17项之萤光体,其中系赋活剂 Pr之含量对1莫耳之Sr为0.0001~0.1莫耳。 23.如申请专利范围第17项之萤光体,其中赋活剂Al 之含量对1莫耳之Ti为0.001~1.0莫耳。 图式简单说明: 第1图系表示对Mg量及Ca量之相对发光亮度及亮度 维持率之图。 第2图系表示对用作扩散材被扩散至萤光体粒子之 含Ca量之发光亮度及亮度维持率之图。 第3图系表示发光不均对Sr/Ti之莫耳比的发生率之 图。 第4图系表示相对发光亮度对Sr/Ti之莫耳比的图。 |
