| 主权项 |
1.一种雷射处理基板,包括: 一基板,该基板具有一雷射光入射面;以及 一第一保护层,位于该基板的该雷射光入射面上, 其中该第一保护层之折射率介于该基板的折射率 与空气的折射率之间。 2.如申请专利范围第1项所述之雷射处理基板,其中 该第一保护层之折射率介于1到该基板折射率之间 。 3.如申请专利范围第2项所述之雷射处理基板,其中 该第一保护层之材质系选自于由AlF3、AlN、Al2O3、 BaF2、BeO、Bi2O3、BiF2、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、 CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、ITO、 LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb 2O5、NdF3、Nb2O3、PdCl2、PdF2、PdO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3 、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SnO2、SrF2、Al2O3、Ta2O5、 TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3 、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe、ZrO2所组成之族群。 4.如申请专利范围第2项所述之雷射处理基板,其中 该第一保护层之材质系选自于由正型光阻、负型 光阻、光敏化合物、树脂(epoxy)、聚合物(polymer)所 组成之族群。 5.如申请专利范围第1项所述之雷射处理基板,更包 括一第二保护层,位于该基板相对于该雷射光入射 面之一面上,其中该第二保护层之折射率介于该基 板的折射率与空气的折射率之间。 6.如申请专利范围第5项所述之雷射处理基板,其中 该第二保护层之折射率介于1到该基板折射率之间 。 7.如申请专利范围第6项所述之雷射处理基板,其中 该第二保护层之材质系选自于由AlF3、AlN、Al2O3、 BaF2、BeO、Bi2O3、BiF2、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、 CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、ITO、 LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb 2O5、NdF3、Nb2O3、PdCl2、PdF2、PdO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3 、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SnO2、SrF2、Al2O3、Ta2O5、 TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3 、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe、ZrO2所组成之族群。 8.如申请专利范围第6项所述之雷射处理基板,其中 该第二保护层之材质系选自于由正型光阻、负型 光阻、光敏化合物、树脂、聚合物所组成之族群 。 9.如申请专利范围第1项所述之雷射处理基板,其中 该基板之材质包括Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaN、InGaN、 AlInGaN、GaAs、LiGaO2、AlN、ZnSe、SiO2、GaP、AlInGaP其 中之一。 10.如申请专利范围第9项所述之雷射处理基板,更 包括一磊晶薄膜,位于该基板之该雷射光入射面上 。 11.如申请专利范围第9项所述之雷射处理基板,更 包括一磊晶薄膜,位于该基板之该雷射光出射面上 。 12.如申请专利范围第10项或第11项所述之雷射处理 基板,其中该磊晶薄膜之材质包括Al2O3、SiC、ZnO、 Si、GaN、InGaN、AlInGaN、GaAs、LiGaO2、AlN、ZnSe、SiO2 、GaP、AlInGaP其中之一。 13.如申请专利范围第1项所述之雷射处理基板,其 中该基板包括陶瓷材料基板、金属基板、玻璃纤 维基板与碳纤维基板其中之一。 14.如申请专利范围第1项所述之雷射处理基板,其 中该基板包括一印刷电路板。 15.一种雷射处理基板,包括: 一基板,该基板具有一雷射光入射面与一雷射光出 射面;以及 一保护层,位于该基板的该雷射光出射面上,其中 该保护层之折射率介于该基板的折射率与空气的 折射率之间。 16.如申请专利范围第15项所述之雷射处理基板,其 中该保护层之折射率介于1到该基板折射率之间。 17.如申请专利范围第16项所述之雷射处理基板,其 中该保护层之材质系选自于由AlF3、AlN、Al2O3、BaF2 、BeO、Bi2O3、BiF2、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、 DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、ITO、LaF3 、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5 、NdF3、Nb2O3、PdCl2、PdF2、PdO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、 Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SnO2、SrF2、Al2O3、Ta2O5、TiO2 、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、 Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe、ZrO2所组成之族群。 18.如申请专利范围第16项所述之雷射处理基板,其 中该保护层之材质系选自于由正型光阻、负型光 阻、光敏化合物、树脂、聚合物所组成之族群。 19.如申请专利范围第15项所述之雷射处理基板,其 中该基板之材质包括Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaN、InGaN 、AlInGaN、GaAs、LiGaO2、AlN、ZnSe、SiO2、GaP、AlInGaP 其中之一。 20.如申请专利范围第19项所述之雷射处理基板,更 包括一磊晶薄膜,位于该基板之该雷射光出射面上 。 21.如申请专利范围第20项所述之雷射处理基板,其 中该磊晶薄膜之材质包括Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaN、 InGaN、AlInGaN、GaAs、LiGaO2、AlN、ZnSe、SiO2、GaP、 AlInGaP其中之一。 22.如申请专利范围第15项所述之雷射处理基板,其 中该基板包括陶瓷材料基板、金属基板、玻璃纤 维基板与碳纤维基板其中之一。 23.如申请专利范围第15项所述之雷射处理基板,其 中该基板包括一印刷电路板。 24.一种应用雷射处理雷射处理基板的方法,包括: 提供一基板,该基板具有一雷射光入射面; 于该基板的该雷射光入射面上形成一第一保护层, 该第一保护层之折射率介于该基板的折射率与空 气的折射率之间;以及 利用雷射处理该基板。 25.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中利用雷射处理该基板之后 ,更包括去除该第一保护层。 26.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第一保护层之折射率在 1到该基板折射率之间。 27.如申请专利范围第26项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第一保护层之材质系选 自于由AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF2、CaF2 、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2 、HoF3、Ho2O3、In2O3、ITO、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO 、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nb2O3、PdCl2、 PdF2、PdO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2 、SnO2、SrF2、Al2O3、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2 、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe、 ZrO2所组成之族群。 28.如申请专利范围第26项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第一保护层之材质系选 自于由正型光阻、负型光阻、光敏化合物、树脂 、聚合物所组成之族群。 29.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该基板之材质包括Al2O3、 SiC、ZnO、Si、GaN、InGaN、AlInGaN、GaAs、LiGaO2、AlN、 ZnSe、SiO2、GaP、AlInGaP其中之一。 30.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该基板包括陶瓷材料基板 、金属基板、玻璃纤维与碳纤维其中之一。 31.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该基板包括一印刷电路板 。 32.如申请专利范围第24项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中于利用雷射处理该基板之 步骤前,更包括于该基板相对于该雷射光入射面之 一面上形成一第二保护层,该第二保护层之折射率 介于该基板的折射率与空气的折射率之间。 33.如申请专利范围第32项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第二保护层之折射率介 于1到该基板折射率之间。 34.如申请专利范围第33项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第二保护层之材质系选 自于由AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF2、CaF2 、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2 、HoF3、Ho2O3、In2O3、ITO、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO 、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nb2O3、PdCl2、 PdF2、PdO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2 、SnO2、SrF2、Al2O3、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2 、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe、 ZrO2所组成之族群。 35.如申请专利范围第33项所述之应用雷射处理雷 射处理基板的方法,其中该第二保护层之材质系选 自于由正型光阻、负型光阻、光敏化合物、树脂 、聚合物所组成之族群。 图式简单说明: 第1A图至第1C图系习知在进行雷射处理时的基板之 剖面示意图。 第2A图至第2C图系依照本发明之第一实施例之雷射 处理基板的剖面示意图。 第3图系依照本发明之第二实施例之应用于雷射切 割基板的制程步骤图。 |
