| 摘要 |
本发明揭露一种形成半导体材料晶圆的方法及其结构。首先形成半导体材料的一铸块(ingot)；并形成一第一介电层于铸块表面上，其中第一介电层表面大于铸块表面。再形成一第二介电层于第一介电层表面上，且第二介电层表面大于第一介电层表面。一种半导体晶圆结构包含一片状核心(slip core)，其以一半导体材料形成，其中片状核心具有一第一外周边；一第一环状部分与第一外周边相邻，其以一第一介电材料形成，其中第一环状部分具有一第二外周边大于第一外周边；一第二环状部分与第二外周边相邻，其以一第二介电材料形成，其中第二环状部分具有一第三外周边大于第二外周边。本发明可藉由第一环状部分与第二环状部分巩固晶圆避免产生边缘碎裂的情形。 |
