发明名称 Low current and high speed phase-change memory and operation method therefor
摘要
申请公布号 KR100498493(B1) 申请公布日期 2005.07.01
申请号 KR20030021419 申请日期 2003.04.04
申请人 发明人
分类号 G11C13/00;G11C16/00;G11C11/00;G11C11/56;G11C16/02;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/24;H01L45/00;H03D13/00;(IPC1-7):G11C16/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
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