发明名称 UN TRANSISTOR MMIC ADAPTADO PREVIAMENTE DE ALTA POTENCIA CON CONTINUIDAD DEL POTENCIAL DE TIERRA MEJORADA.
摘要 TRANSISTOR MULTICELULAR (50) QUE RESULTA UTIL EN UN CIRCUITO QUE TIENE UN PLANO DE TIERRA DE ENTRADA (16) PARA UNA GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18) Y UN PLANO DE TIERRA DE SALIDA (30) PARA UNA GUIA DE ONDAS DE SALIDA (28). EL TRANSISTOR MULTICELULAR (50) INCLUYE UN ELECTRODO DE PUERTA (56) ACOPLADO A LA GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18), UN ELECTRODO DE DRENAJE (54) ACOPLADO A LA GUIA DE ONDAS DE SALIDA (28), Y UN ELECTRODO DE FUENTE (52) ACOPLADO AL PLANO DE TIERRA DE ENTRADA (16). UNA PLETINA DE TIERRA DE SALIDA (76) SEPARADA DEL ELECTRODO DE DRENAJE (54) ACOPLA EL PLANO DE MASA DE SALIDA (30) AL ELECTRODO DE FUENTE (52). UN PAR DE LINEAS DE TRANSMISION (82) ESTAN CONECTADAS ORTOGONALMENTE A UN ELECTRODO DE PUERTA (56) Y PROLONGADAS DEL MISMO PARA FORMAR UN PAR DE CONDUCTORES CON EL FIN DE ADAPTAR LAS IMPEDANCIAS DEL ELECTRODO DE PUERTA (56) Y EL GUIA DE ONDAS DE ENTRADA (18).
申请公布号 ES2235379(T3) 申请公布日期 2005.07.01
申请号 ES19980957512T 申请日期 1998.11.03
申请人 RAYTHEON COMPANY 发明人 WEN, CHENG, P.;CHU, PETER;COLE, MICHAEL, R.;WONG, WAH, S.;WANG, ROBERT, F.;HOU, LIPING, D.
分类号 H01L25/18;H01L23/482;H01L23/66;H01L25/04;(IPC1-7):H01L23/66 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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